Подвижность - носитель - ток
Cтраница 2
Подвижность носителей тока ( и) может определяться различными методами, среди которых имеются принципиально отличные друг от друга. [16]
Подвижность носителей тока зависит от температуры и концентрации примесей, причем она убывает с ростом температуры и количества примеси. Однако число свободных электронов и дырок зависит от температуры и концентрации примесей гораздо сильнее, чем их подвижность, а поэтому величина электропроводности сильно возрастает с повышением температуры и введением донорной примеси. [17]
Подвижность носителей тока в полупроводнике обычно выражается сложной функцией. Можно считать, что свободные носители тока в случае отсутствия внешнего поля находятся в беспорядочном движении. При этом электрон вырывается из дефекта решетки термически или каким-нибудь другим путем и его движение заканчивается в результате столкновения или иного процесса в другом месте решетки. Промежуток между столкновениями называется средним временем пробега и может быть усреднен разными способами при теоретическом рассмотрении. [18]
Подвижность носителей тока некоторых полупроводников значительно превышает подвижность электронов проводников. Концентрация и подвижность носителей тока являются основными показателями, определяющими степень проявления гальваномагнитных эффектов. [19]
Подвижность носителей тока ( электронов и дырок) должна быть высока при соблюдении первого условия. [20]
На подвижность носителей тока оказывает влияние окружающая температура, причем в сильных электромагнитных полях эта зависимость значительно меньше, чем в слабых. Вследствие этого применение полупроводниковых образцов из германия п-и р-типов при температуре выше комнатной ограничено, нескольку удельное сопротивление германия быстро уменьшается с повышением температуры. [21]
Увеличение подвижности носителей тока важно и для повышения высокочастотной чувствительности транзисторов, где использование материала с более высокой подвижностью носителей тока дает более кратковременное распространение инъектируемого импульса. Эти требования противоречат тенденции к повышению рабочей температуры транзисторов, которая связана с определенной величиной ширины запрещенной зоны материала. При увеличении последней рабочие температурные характеристики повышаются, подвижность падает. Все эти требования ограничиваются физико-химическими свойствами материалов и не могут быть изменены какими-либо конструктивными улучшениями в приборах. [22]
Значения подвижности носителей тока, указанные в таблице, являются приблизительными. [23]
Изотермы подвижности носителей тока проходят через минимумы. Переход статистических твердых растворов в упорядоченные сопровождается ростом подвижности. [25]
Зависимость подвижности носителей тока от температуры для трех образцов SiC особой чистоты изображена на рисунке. [26]
Большая величина подвижности носителей тока является преимуществом, а не недостатком, так как улучшает частотную характеристику транзистора. Однако подвижность носителей тока в полупроводниках редко бывает очень большой. Малая подвижность ухудшает частотную характеристику и поэтому суживает область рабочих частот транзисторов, сделанных из такого материала. Во всяком случае, желательно, чтобы в материале, предназначенном для изготовления полупроводниковых приборов, подвижность носителей тока была больше 50 см / в сек. [27]
При вычислении подвижности носителей тока в примесном полупроводнике необходимо учитывать не только рассеяние, вызываемое колебаниями решетки, но и рассеяние на самих атомах примесей. [28]
Для измерения подвижности носителей тока в органических полупроводниках наиболее мощным и перспективным является метод, хорошо разработанный первоначально для кристаллических счетчиков заряженных частиц и заключающийся в измерении дрейфа возбужденных носителей в электрическом поле. Применительно к органическим полупроводникам этим методом можно измерять подвижность как в монокристаллах и поликристаллических слоях низкомолекулярных органических полупроводников, так и в тонких пленках полимерных полупроводников. Органические полупроводники как нельзя лучше удовлетворяют этим условиям. [29]
Если отношение подвижностей носителей тока Ь, как, например, в InSb, велико, то эффективный коэффициент диффузии в собственном полупроводнике приблизительно равен коэффициенту диффузии дырок, несмотря на то, что коэффициент диффузии электронов имеет значительно большую величину. [30]
Страницы: 1 2 3 4