Подвижность - носитель - ток - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Извините, что я говорю, когда вы перебиваете. Законы Мерфи (еще...)

Подвижность - носитель - ток

Cтраница 3


Что называется подвижностью носителей тока и как она зависит от температуры.  [31]

Что называется подвижностью носителей тока. В каких единицах эта величина измеряется.  [32]

При упорядочении 1п2Те3 подвижность носителей тока уменьшается, а теплопроводность решетки увеличивается [365], что является следствием уменьшения длины свободного пробега электронов и увеличения длины свободного пробега фононов. Длина волны электрона в 10 раз больше длины волны фонона, поэтому увеличение расстояния между рассеивающими узлами делает последние более эффективными в отношении рассеяния электронных волн и уменьшает вероятность рассеяния фононов.  [33]

При упорядочении 1п2Тез подвижность носителей тока уменьшается, а теплопроводность решетки увеличивается [365], что является следствием уменьшения длины свободного пробега электронов и увеличения длины свободного пробега фононов. Длина волны электрона в 10 раз больше длины волны фонона, поэтому увеличение расстояния между рассеивающими узлами делает последние более эффективными отношении рассеяния электронных волн и уменьшает вероятность рассеяния фононов.  [34]

35 Температурная зависимость электропроводности системы ( NiSx ( NiOi - xFe2O3 при х0 ( /, 0 001 ( 2, 0 1 ( 3, 0 3 ( 4, 0 5 ( 5 и 1 0 ( б.| Температурная зависимость коэффициента термоэдс системы ( NiSi ( NiOi iFe2O3 при х0 ( /, 0 001 ( 2, 0 1 ( 3 0 3 ( 4, 0 5 ( о и 1 0 ( б. [35]

Увеличение концентрации и подвижность носителей тока при замещении кислорода серой в никелевом феррите приводит к увеличению междоузельных дефектов типа внедрения, действующих на примесные ( донорные) центры. При больших замещениях кислорода серой число таких примесных центров растет, и происходит перекрытие их волновых функций и образование примесной зоны. В результате локализованные примесные уровни коллективизируются, что приводит к увеличению подвижности и концентрации носителей тока.  [36]

Для чистых образцов подвижность носителей тока снижается примерно на 0 5 % на градус. Температурный коэффициент постоянной Холла для чистого германия составляет 4 % на 1 С. Увеличением содержания примесей эта величина может быть снижена до 0 05 % на 1 С, причем постоянная Холла также снижается. Для температурной компенсации используются полупроводниковые или металлические термосопротивления, включаемые параллельно или последовательно в цепь питания или в выходную цепь. Температурная погрешность может быть устранена термо-статированием элемента. Для этой цели элемент снабжается нагревателем и датчиком температуры. При разделении цепей питания по частоте сам датчик может быть использован как нагреватель, а в некоторых случаях и как термосопротивление.  [37]

Температура влияет на подвижность носителей тока, удельное электрическое сопротивление и постоянную Холла.  [38]

Сложный характер изменения подвижности носителей тока в группе элементарных полупроводников может быть объяснен за счет отклонения подвижности серого олова от истинной величины: как известно из предыдущего, серое олово получено было в виде монокристаллических нитей, измерения на которых представляют большие трудности.  [39]

Что понимают под подвижностью носителей тока и чем она определяется.  [40]

Опыт показывает, что подвижность носителей тока в ионных кристаллах действительно значительно меньше подвижности носителей в атомных решетках. Поскольку равновесная концентрация поляронов приблизительно в 106 раз превышает концентрацию nj -, можно считать, что носителями тока в ионных кристаллах являются поляроны.  [41]

Исследования показали, что подвижность носителей тока в CdSnAs2 ограничивается наличием посторонних примесей и может быть увеличена очисткой материала. Результаты изучения свойств CdSnAs2 впервые показали, что в тройных соединениях может быть подвижность носителей тока того же порядка, как и в бинарных. Кроме того, такая высокая подвижность впервые обнаружена у вещества со структурой халькопирита и это также очень существенно.  [42]

Исследования показали, что подвижность носителей тока в CdSnAs2 ограничивается наличием посторонних примесей и может быть увеличена очисткой материала. Кроме того, такая высокая подвижность впервые обнаружена у вещества со структурой халькопирита и это также очень существенно.  [43]

При нагревании металлического проводника подвижность носителей тока ы уменьшается, а пд и е остаются постоянными.  [44]

При нагревании металлического проводника подвижность носителей тока и уменьшается, а па и е остаются постоянными.  [45]



Страницы:      1    2    3    4