Подвижность - основной носитель - заряд
Cтраница 1
Подвижность основных носителей заряда ц при 77 К должна быть не менее 3 - Ю4 и 4 - Ю4 см2 / ( В-с) для марок ПМЭП-0 и ИМЭ соответственно, для остальных марок ц - не ли - Митируется. [1]
 |
Поле потенциалов в базовой области транзистора. [2] |
Подвижность основных носителей заряда, зависящая от концентрации легирующей примеси и величины электрического поля в полупроводнике ( 7 ]; N ( х) - концентрация легирующей примеси; q - заряд электрона. [3]
В связи с тем, что подвижность основных носителей заряда в электронных полупроводниках в 2 - 2 5 раза выше, чем в донорных, то при одинаковом удельном сопротивлении полупроводник тг-типа относительно чище, и, следовательно, пробивное напряжение перехода, изготовленного из полупроводника тг-типа, выше пробивного напряжения перехода, изготовленного из полупроводника р-типа. В качестве акцепторного материала для германия наиболее широко применяется индий, а для кремния - алюминий. [4]
 |
График функции с ( а / Ь. ( / 0.| Схема для измерения тока Холла. [5] |
Соотношения (2.46) и (2.47) используют для олределения подвижности основных носителей заряда по результатам измерения тока Холла. Для получения сведений о концентрации носителей заряда необходимо проводить измерения тока Холла совместно с измерениями удельной проводимости. [6]
Температурная зависимость тока истока связана с изменением подвижности основных носителей заряда в материале канала. Крутизна S полевых транзисторов уменьшается с повышением температуры. [7]
В то же время величина сопротивления базы г в определяется подвижностью основных носителей заряда. Возрастание вдвое предельной частоты усиления по току в транзисторах п-р - п приводит одновременно к увеличению вдвое сопротивления базы, следовательно, фактор качества М остается неизменным. [8]
Зависимость тока стока от температуры обусловлена ее влиянием на контактную разность потенциалов и степень подвижности основных носителей заряда. [10]
 |
Зависимость от температуры удельной проводимости германия, легированного донорной примесью. [11] |
При относительно низких температурах, когда можно пренебречь тепловой генерацией носителей, изменение удельной проводимости примесного полупроводника в зависимости от температуры определяется изменением подвижности основных носителей заряда. С увеличением температуры в интервале температур, при которых обычно работает полупроводниковый прибор, подвижность носителей уменьшается. Это объясняется уменьшением средней длины свободного пробега носителей заряда между соударениями. Проводимость примес ного полупроводника также уменьшается. Однако при относительно высоких температурах, когда начинает играть роль термогенерация электронов и дырок, несмотря на уменьшение подвижности носителей, увеличение температуры приводит к увеличению проводимости по экспоненциальному закону. При очень низкой температуре ее дальнейшее понижение вызывает не увеличение, а уменьшение подвижности основных носителей, что зависит от некоторых особенностей их взаимодействия с ионизированными атомами примеси. Поэтому в области низких температур удельная проводимость примесного полупроводника при понижении температуры уменьшается. На рис. 1.9 это уменьшение показано штриховой линией. [12]
Здесь / iK, / IKи - толщина объемного заряда в канале и в канале у истока ( 0); WK, LK, HK - толщина, длина и ширина канала полевого транзистора ( / ZKH / IK 5g WK); N ( y) - распределение концентрации примесей в канале по сечению, перпендикулярному оси х; Uy - напряжение на р-п переходе затвора, зависящее и от х; q, е, ц - заряд электрона, относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника, усредненная подвижность основных носителей заряда в канале. [13]
К обусловлена прыжковой проводимостью. Измерения подвижности основных носителей заряда показывают, что при комнатной температуре ( jwn 2 - Ю-2... [14]
Изменения температуры существенно влияют на контактную разность потенциалов на р-я-переходе, подвижность основных носителей заряда и обратный ток закрытого перехода. [15]
Страницы: 1 2