Подвижность - основной носитель - заряд
Cтраница 2
Изменения температуры существенно влияют на контактную разность потенциалов на р-л-переходе, подвижность основных носителей заряда и обратный ток закрытого перехода. [16]
Для них, как и для всех полупроводниковых приборов, колебания температуры в первую очередь приводят к изменению контактной разности потенциалов на р - n - переходе; подвижности основных носителей заряда в кристалле и обратного тока запертого перехода затвора. [17]
Интересно отметить, что влияние первых двух факторов на ток стока и крутизну полевого транзистора противоположно. С одной стороны, повышение температуры приводит к уменьшению контактной разности потенциалов, вследствие этого уменьшается толщина слоя пространственного заряда в канале, увеличивается его сечение и уменьшается сопротивление токопроводящего участка канала. С другой стороны, повышение температуры приводит к уменьшению подвижности основных носителей заряда в канале, что приведет к увеличению его сопротивления. В зависимости от режима транзистора превалирует тот или иной фактор, причем возможна их компенсация. [18]
Для получения высоких значений максимальной крутизны и тока стока полевого транзистора в качестве исходного материала его токопроводящего канала желательно брать полупроводник с наибольшей подвижностью основных носителей заряда. Необходимость в высоком входном сопротивлении ( малый обратный ток перехода) требует выбирать в качестве исходного материала полупроводник с широкой запрещенной зоной. При изготовлении полевых транзисторов выгодно брать интерметаллические соединения, в частности арсенид галлия, у которого подвижность основных носителей заряда выше, чем в германии, а ширина запрещенной зоны больше, чем у кремния. В настоящее время наиболее широко распространены кремниевые полевые транзисторы ( их иногда делают из сульфида кремния и карбида кремния), которые обладают более высоким по сравнению с германиевыми входным сопротивлением и сохраняют работоспособность до 120 С. [19]
Параметры pv и d определяются диффузионными профилями транзисторной структуры. Поэтому удельное поверхностное сопротивление ps является конструктивным параметром резистора, связанным с диффузионным режимом формирования базовой или эмиттерной области интегрального транзистора. Вычисление величины ру - сложная и трудоемкая задача, что обусловлено неоднородностью распределения концентрации примеси по сечению резне-тивного слоя и концентрационной зависимостью подвижности основных носителей заряда. [20]
 |
Эквивалентная схема и частотная характеристика диффузионного резистора для области высоких частот. [21] |
Параметры pi / и d определяются диффузионными профилями транзисторной структуры. Поэтому удельное поверхностное сопротивление ps является конструктивным параметром резистора, связанным с диффузионным режимом формирования базовой или эмиттерной области интегрального транзистора. Вычисление pi / представляет сложную и трудоемкую задачу, что обусловлено неоднородностью распределения концентрации примесных атомов по сечению резистивного слоя и концентрационной зависимостью подвижности основных носителей заряда. [22]
Изменение температуры оказывает влияние на ток утечки затвора, величину контактной разности потенциалов p - n - перехода между затвором и каналом и на изменение подвижности основных носителей заряда. [23]
При воздействии радиации на полевой транзистор с р - - переходом ухудшение его эксплуатационных свойств происходит в основном из-за смещения атомов и образования в решетке полупроводника относительно постоянных вакансий или атомов между узлами и из-за смещения электронов, приводящего к ионизации. Ионизация носит нестационарный характер и ограничена временем рекомбинации носителей. Смещенные атомы действуют как центры рассеяния, уменьшая подвижность носителей. Уменьшение подвижности основных носителей заряда приводит к увеличению сопротивления канала, уменьшению тока стока и крутизны. [24]
Страницы: 1 2