Подвижность - электрон
Cтраница 1
Подвижность электронов зависит от свойств кристаллической решетки, наличия примесей и температуры. С ростом температуры их подвижность уменьшается. [2]
Подвижность электронов в InSb падает с ростом температуры согласно Г 1 68, что свидетельствует о рассеянии электронов на акустических колебаниях решетки. Природа же рассеяния дырок ( пропорционально Т1 - 2 - 1) пока ] не выяснена. Представляет интерес возрастание подвижности дырок при температурах ниже 200 К, в то время как подвижность электронов при этих условиях падает вследствие их рассеяния на ионизированных примесях. Поэтому отношение подвижностей при низких температурах уменьшается по сравнению с комнатной. [3]
Подвижность электронов и дырок в InP, найденная на монокристаллах с концентрацией примесей порядка 1016 см-3, равна соответственно 6000 и 650 см2 / в-сек. Эффективная масса электронов составляет 0 06 т0 и дырок 0 2 тс. [4]
Подвижность электронов и дырок обычно различна. [5]
Подвижность электронов в металле уменьшается с увеличением расстояния между атомами. Это проявляется, например, в уменьшении электропроводности металлов с повышением температуры, так как при этом металл расширяется, и расстояния между его атомами увеличиваются. [6]
 |
Электрические свойства пленок кремния, полученных МЛО. [7] |
Подвижность электронов, как представлено в табл. 6.2.1, может быть увеличена путем обработки в гидрогенизирующей плазме. Из таблицы также следует, что такая обработка увеличивает концентрацию носителей в материале и-типа и уменьшает концентрацию носителей и подвижность в образцах р-типа. [8]
Подвижности электронов и дырок несколько различаются из-за разницы их эффективных масс: цп / JP. Как следует из (3.28), чем больше подвижность, тем больше дрейфовая скорость носителей заряда и тем выше быстродействие полупроводникового элемента. [9]
 |
Электрические свойства пленок кремния, полученных МЛО. [10] |
Подвижность электронов, как представлено в табл. 6.2.1, может быть увеличена путем обработки в гидрогенизирующей плазме. Из таблицы также следует, что такая обработка увеличивает концентрацию носителей в материале и-типа и уменьшает концентрацию носителей и подвижность в образцах р-типа. [11]
Подвижность электронов ( или дырок) описывает макроскопический поток носителей в электрическом поле. [12]
Подвижность электронов в поликристаллических пленках CdS изменяется при положении электрического поля. Под воздействием напряжения значение V на межкристаллитных границах существенно снижается за счет взаимодействия индуцированного заряда с зарядом на барьерах. На рис. 6.11 приведены температурные зависимости подвижностей электронов в пленках CdS, полученных методом термического испарения в вакууме, при различных значениях приложенного напряжения. Это потенциально важный эффект, когда границы зерен проходят через обедненные слои в р-л-переходах солнечных элементов. [14]
Страницы: 1 2 3 4