Cтраница 2
Подвижность электронов в образце 1 близка к подвижности в монокристалле InP, однако в 2, и в особенности в 3 ( с наименьшей концентрацией электронов) перенос заряда определяется механизмами туннельного и термоактивационного прохождения носителей заряда через потенциальные барьеры на границах зерен. [16]
Подвижность электронов зависит от свойств кристаллической решетки, наличия примесей и температуры. С ростом температуры вследствие усиления тепловых колебаний решетки подвижность электронов уменьшается. [17]
Подвижность электронов и дырок различна, однако, как правило, она не зависит от напряженности электрического поля Е, по крайней мере для слабых полей. [18]
Подвижность электрона в молекуле связана с диэлектрической постоянной жидкости; при возрастании диэлектрической постоянной увеличивается и подвижность электронов; при этом создается более выгодное условие для притяжения в сближенных частях молекул. [19]
Подвижность электронов в чистом Ge при комнатной температуре ( 300 К) равна 3800 см2 В 1 с-1. Найти удельное сопротивление этого материала при 30 К, считая, что подвижность меняется с температурой по закону ц аТ - 3 / г, где а - постоянная. [20]
Удельное сопротивление металла при очень низких температурах ( а и его зависимость от концентрации примеси в меди при низкой температуре ( б. [21] |
Подвижность электронов при комнатной температуре ограничивается в первую очередь тепловыми колебаниями кристаллической решетки, которые определяют рассеяние электронов и среднюю величину их свободного пробега в электрическом поле. При очень низких температурах, однако, колебания решетки не сказываются на электропроводности; можно ожидать, что при 0 К они прекратятся и электропроводность не содержащего примесей идеального кристалла станет бесконечной. [22]
Температурные зависимости эффектов Холла и изменения сопротивления полупроводника в магнитном поле. [23] |
Подвижность электронов у большинства полупроводников по мере повышения температуры, начиная с - ( 40 - 30) С, обычно уменьшается, вследствие уменьшения длины свободного пробега электрона, зависящей от амплитуды тепловых колебаний атомов в узлах кристаллической решетки твердого тела. [24]
Подвижность электронов мала, следовательно, мала и скорость их упорядоченного движения. В самом деле, напряженность электрического поля в металлах редко бывает более 1 В / м, и средняя скорость упорядоченного движения vbE не превосходит 1 мм / с, а чаще всего она значительно меньше. [25]
Подвижность электронов мала, следовательно, мала и скорость их упорядоченного движения. В самом деле, напряженность электрического поля в металлах редко бывает более 1 В / м, и средняя скорость упорядоченного движения v bE не превосходит миллиметра в секунду, а чаще всего она значительно меньше. [26]
Зависимость подвижности электронов. в германии тг-типа от удельного сопротивления и концентрации электронов.| Зависимость электропроводности и. [27] |
Подвижность электронов достигает почти предельно большого значения ( 3500 см2 / в-сек. Ge с ря 1 ом-см и с дальнейшей очисткой мало меняется. [28]
Подвижность электронов при комнатной температуре достигает 1.2 - 10 см2 / в-сек. [29]
Подвижность электронов в геометрически правильных кристаллах германия составляет 3500 смг / в-сек при Т 25 С. [30]