Cтраница 1
Электронная подвижность возможна только в том случае, если имеются вакантные уровни, на которые можно возбудить электрон. То же самое относится и к дыркам в отношении валентной зоны. Число уровней энергии на единичный энергетический интервал ( плотность состояний) в электронных и дырочных зонах зависит в основном от химического состава и кристаллической структуры твердого тела. Однако способ заселения этих уровней от химической природы твердого тела не зависит. [1]
Если, например, электронная подвижность очень велика, а дырочная, напротив, очень мала, то обычная теплопроводность электронов может быть большой, но дыркн не успевают двигаться вслед за электронами и поэтому не обеспечивают необходимого числа актов рекомбинации. Связь между двумя теп-лопроводностями также зависит от вида соотношения между временем релаксации и энергией. [2]
Последний анализ данных по электронным подвижностям свидетельствует, что их температурную зависимость при Т 100 К вполне можно объяснить в рамках более обычного подхода. В частности, Андерсен, Дьюк и Кенкре [15] показали, что, используя уравнение Больцмана при учете рассеяния электронов на продольных акустических фононах, можно дать количественное объяснение значениям электронных подвижностей вдоль всех кристаллографических направлений. [4]
Количественная ( а и качественная ( б хро-матограммы, полученные при параллельной работе аргонового и электроноза-хватного детекторов. [5] |
Для детектирования постоянных газов применяют также метод непосредственной электронной подвижности, заключающийся в подаче к аноду коротких импульсов. [6]
Такие устройства требуют применения материалов, имеющих высокую электронную подвижность ( необходимую для достижения максимальной величины угла Холла) и малый температурный коэффициент. [7]
Наконец, третий метод детектирования перманентных газов ( метод непосредственной электронной подвижности) заключается подаче к аноду коротких импульсов. [8]
Детей-торы, работающие в описанном режиме, называют детекторами косвенной электронной подвижности. [9]
В рамках указанной модели удается разумным образом объяснить экспериментальные значения электронной подвижности в жидком гелии. [10]
Эфрима и Метиа [93] в своей теоретической работе о температурной зависимости электронной подвижности в молекулярных кристаллах учли ан-гармонизм, т.е. квадратичное недиагональное взаимодействие, и показали, что если константы взаимодействия 5 яХ и ofmn достаточно велики, то в температурной зависимости цс с ( Т) появляется минимум. Однако обнаруженный ранее Шейном и др. [345] минимум зависимости / с с ( 7), как показал Карл [193], обусловлен наличием дефектов. [11]
При рассеянии невырожденного электронного газа тепловыми колебаниями решетки имеются два фактора, определяющих температурную зависимость электронной подвижности: первый из них действует непосредственно, поскольку интенсивность тепловых колебаний увеличивается с температурой; второй - косвенно, так как средняя длина свободного пробега электрона I зависит от его энергии, а средняя энергия невырожденного полупроводника пропорциональна температуре. [12]
Подвижность дырок в образце с концентрацией 2 - Ю17 см-3 примерно в семьдесят раз меньше, чем электронная подвижность. При определении отношения подвижно-стей по температуре, при которой коэффициент Холла обращается в нуль, получено близкое значение, и можно ожидать, что в чистом материале величина подвижности дырок близка к 500 см2 / в сек. [13]
Детекторы: катарометр, плотномер, пламенно-ионизационный, аргоновый, микроаргоновый, аргоновый триодный, электронного захвата, непосредственной ионизации, фотоионизационный, электронной подвижности. [14]