Электронная подвижность
Cтраница 2
Поэтому перенос заряда от одного тримера к другому формально можно уподобить переносу заряда вдоль цепочки из молекул антрацена, для которого также наблюдается аномальная температурная зависимость электронной подвижности ( см. разд. Mr тая величина подвижности по сравнению с ее значением в NMP - TCNQ, где ц 10 см2В - с -, не удивительна, поскольку молекулы TCNQ упакованы в NMP - TCNQ однородно, и в связи с этим увеличиваются значения интегралов переноса, связанные с перекрыванием волновых функций 1г - электронов, вдоль всей стопки. В Cs2 ( TCNQ) 3 перенос зонного типа проявляется только вдоль осей стопок. Поскольку взаимодействия между орбиталями TCNQ, центрированными на различных стопках, малы, то перенос в поперечном направлении, по-видимому, соответствует прыжковой модели. [16]
Интересные исследования были проведены Шарпом и Викер-маном [119], которые показали, что необходимым условием протекания реакции окислительного хлорирования в присутствии СиС12 является наличие ионов меди и электронной подвижности. Они предположили, что лимитирующей стадией является взаимодействие этилена с кислородом на поверхности катализатора с образованием этиленоксида или другого этилен-кислородного комплекса. При описании процесса окислительного хлорирования этилена авторы основывались на уравнении Ленгмюра - Хиншельвуда. [17]
В комплекте с хроматографом поставляют десять детекторов: катарометр, плотномер, пламенно-ионизационный, аргоновый, микроаргоновый, аргоновый триодный, электронозахватный, непосредственной ионизации, фотоионизационный и, наконец, детектор электронной подвижности. Детекторы находятся в отдельном термостате. Предусмотрена возможность одновременного использования двух детекторов для получения качественной и количественной хроматограмм. Имеется интегратор, а также счетчик радиоактивности для определения радиоактивных компонентов смеси. Для этого применяют конверсию элюата до двуокиси углерода или водорода и регистрируют радиохроматограмму при помощи пропорционального счетчика и самописца. [18]
Миасава и др. [72] выяснили, что в Cs3Sb появляется электролитическая проводимость ( при повышенных температурах), свойственная ионным кристаллам, с отложением ионов Cs на аноде. В то же время электронная подвижность, вызванная частной решеткой [ К ], по меньшей мере равна 500 см2 / в сек при комнатной температуре. [19]
Увеличение подвижности электронов при возрастании концентрации ТНФ также сопровождается ростом концентрации не связанных в комплекс молекул ТНФ. Из того, что величина электронной подвижности продолжает расти, когда при соотношении компонент 0 6: 1 концентрация КПЗ насыщается, можно заключить, что в переносе электронов основную роль играют свободные молекулы ТНФ. Аналогично падение дырочной подвижности при уменьшении концентрации не связанных в комплекс карбазольных групп в молекуле ПВК указывает на то, что движение дырок осуществляется по этим группам. Таким образом, роль КПЗ сводится к увеличению концентрации свободных носителей, а не к облегчению их движения. [21]
С помощью описанных ионизационных детекторов не удается определить концентрацию проходящих через детектор перманентных газов. Для анализа их применяют специальные детекторы, например детектор косвенной электронной подвижности. При ускоряющем напряжении 750 - 1250 в метастабильные атомы газа-носителя ионизируют молекулы примеси, однако присутствующий в элюате перманентный газ поглощает часть энергии и уменьшает число метаста-бильных атомов аргона или гелия, а следовательно, степень ионизации примеси и ионный ток. [22]
II, 3) уже было дано определение подвижности заряженной частицы, если рассматривать ее как скорость еа единицу приложенного поля, и указано, что электропроводность кристалла пропорциональна концентрации активных точечных дефектов и подвижности х основных носителей заряда. В то время как границы изменения концентрации дефектов довольно широки, значения электронных подвижностей располагаются в интервале от 10 и до 100000 см2 / в-сек и важно их знать для того, чтобы предвидеть поведение данного соединения. Подвижность носителей может быть понижена их взаимодействием с компонентами кристалла вследствие рассеяния ( scattering) частиц ( [8], стр. Различают виды рассеяния: полярное рассеяние, связанное в ионных кристаллах с тепловыми колебаниями заряженных ионов и периодическими колебаниями, вызванными силами притяжения или отталкивания, которым подвержена частица; неполярное рассеяние, вызванное в ковалентных кристаллах тепловыми колебаниями атомов и периодическими колебаниями, зависящими от отношения потенциалов данной точки к потенциалу идеального кристалла. Кроме того, активные центры ( вакансии, междоузлия, примеси) вызывают третий важный вид дисперсии; рассеяние за счет дефектов. [23]
Количественная зов применяют также метод непосредствен - ( а) и качественная ( б) хро-ной электронной подвижности, заключа - матоградаш, полученные ющийся в подаче к аноду коротких им - ПРИ параллельной работе пульсов. [24]
 |
Электропроводность а катализатора FeO ZnO и частичная реакция обезвоживания спектра в зависимости от температуры. [25] |
Поликристаллы часто обладают большинством свойств монокристаллов, конечно, исключая анизотропию свойств последних. Идентична ширина запрещенной зоны, а такие чувствительные к изменению структуры свойства, как например, электронная подвижность, иногда мало изменяются под воздействием границ зерен. [26]
Последний анализ данных по электронным подвижностям свидетельствует, что их температурную зависимость при Т 100 К вполне можно объяснить в рамках более обычного подхода. В частности, Андерсен, Дьюк и Кенкре [15] показали, что, используя уравнение Больцмана при учете рассеяния электронов на продольных акустических фононах, можно дать количественное объяснение значениям электронных подвижностей вдоль всех кристаллографических направлений. [27]
Соли органических радикал-ионов, имеющие электронную конфигурацию с неперекрывающимися электронными оболочками, обладают довольно низким электрическим сопротивлением в твердой фазе благодаря благоприятному расположению оболочек с образованием частично заполненной электронной связи. Кроме того, такие плоские радикал-ионы, как TCNQ7, проявляют тенденцию к образованию в кристалле парных группировок, в результате чего происходит заметное перекрывание я-орбиталей соседних молекул и, следовательно, дополнительное увеличение электронной подвижности. [28]
В TTF - TCNQ деформационный потенциал имеет высокое значение - 0 2 эВ - А 1, одинаковое для обоих типов стопок. Оно сопоставимо со значениями электронных подвижностей в других органических проводниках и в четыре раза превышает подвижность дырок. [29]
Взаимодействие всех этих процессов обусловливает характерную для таких детекторов чувствительность и пределы обнаружения. В целом доминирует механизм Пеннинга, вследствие чего ток ионизации в отсутствие посторонних молекул увеличивается; если потенциал ионизации посторонних компонентов выше энергии метастабильного уровня, ток ионизации снижается. Таким образом, ионизационный детектор с инертными газами работает как так называемый косвенный ( electron mobility detector) детектор электронной подвижности, принцип действия и характеристики которого будут рассмотрены ниже при описании Аг-ИД. [30]
Страницы: 1 2 3