Высокая подвижность - электрон
Cтраница 1
Высокая подвижность электронов в антимониде и арсениде индия позволяет изготавливать из этих материалов весьма чувствительные приборы. [2]
Благодаря высокой подвижности электронов, магнитные поля напряженностью свыше 3000 - 4000 э являются для кристаллов InSb уже сильными. [3]
Вследствие высокой подвижности электронов состояние электронного равновесия достигается очень быстро по сравнению с временем диффузии положительных ионов. Это приводит к тому, что в слое возникает потенциал V, не зависящий от х, с вероятным значением 1 - 2 В. [4]
 |
Схематическое изображение ( Фейнмана п - элсктромагнитвиго и аико деист пин. f - fjiT теории Ферми. в - в современной теории вл вуаимодсйстпин. [5] |
Следствием этого является высокая подвижность электронов и дырок, приводящая, в частности, к значит, величине магнетосопротивления, коэф. Норнста - Эт-типгсхаузена ( см. Иерпста - Эттингсхаузена эффект) и нек-рых др. кинотич. [6]
На транзисторах с высокой подвижностью электронов создан кольцевой генератор с временем задержки за один цикл при комнатной температуре 12 пс и потреблением энергии 14 пДж, а в области ИС памяти - создано статическое ЗУПВ объемом 1К бит, с временем выборки 0 9 не и потребляемой мощностью 360 мВт, которое было испытано при температуре 77 К. [7]
Подавление рассеяния приводит к высоким подвижностям электронов: ц 4К) 10в см2 / В-с, u ( 77K) 10B сма / В-с, ц ( ЗООК) 10 сма / В-с. Высокие значения а необходимы для обнаружения таких тонких физ. Холла эффект, и важны для прикладных целей. [9]
Лишь для полупроводников с высокой подвижностью электронов этот эффект становится большим. [10]
Сильное для полупроводников с высокой подвижностью электронов магнитное поле является слабым для полупроводников с меньшей подвижностью. [11]
 |
Гетеропереход Alo 3Gao 7As - GaAs. Электроны проводимости в GaAs обеспечиваются за счет доноров в Alo. sGaojAs. На границе раздела создается двумерное состояние. [12] |
Известны различные конструкции транзисторов с высокой подвижностью электронов. Общее представление о структуре ВПЭТ с одним гетеропереходом дает рис. 6.9, а. А на рис. 6.9, в показана структура ВПЭТ, в которой GaAs и Alo 3Gao 7As как бы поменялись местами по отношению к подложке. Исток, сток и затворный электрод формируются на поверхности GaAs, что позволяет использовать обычную технологию изготовления GaAs - элементов при формировании данной структуры и является известным преимуществом. Одной из проблем транзисторов с высокой подвижностью электронов является невозможность значительного повышения числа электронов проводимости в канале. [13]
Интересной особенностью твердых растворов этих соединений являются высокие подвижности электронов. В HgTe подвижность электронов при комнатной температуре достигает 11 800 сл12 / в-сек; даже в поликристаллическом образце состава 40 % HgSe-60 % HgTe величина подвижности электронов составляет 14 200 см 1в - сек, что является весьма высоким значением для смешанных кристаллов. [14]
Весьма характерной особенностью соединений типа А3В5 является высокая подвижность электронов, относительно малая подвижность дырок, малая эффективная масса носителей тока. Все эти особенности позволяют наблюдать в некоторых соединениях типа А3В5 новые, ранее неизвестные явления: аномалии оптического поглощения, слабую зависимость эффекта Холла и электропроводности от температуры в области низких температур, отрицательное изменение сопротивления в магнитном поле и - другие. [15]
Страницы: 1 2 3 4