Высокая подвижность - электрон
Cтраница 3
 |
Температурные зависимости электропроводности ( / и коэффициента Холла ( 2. [31] |
Высокое удельное сопротивление, низкая концентрация примесных носителей заряда ( близкая к концентрации собственных носителей), высокая подвижность электронов, сравнительно слабая примесная фотопроводимость и фотолюминесценция говорят о высоком качестве полученных нами кристаллов по сравнению с кристаллами, выращенными другими методами. [32]
Для изготовления низкочастотных варикапов используется кремний, а высокочастотных - также германий и арсенид галлия как материалы, имеющие более высокую подвижность электронов. [33]
 |
Зависимость концентрации носителей тока в InAs от температуры. [34] |
Этот полупроводник, так же как и InSb, принадлежит к группе соединений типа A111 Bv, среди которых обнаружены особенно высокие подвижности электронов я которые широко исследуются в настоящее время. Получается прямым синтезом компонент с последующей очисткой зонным плавлением и вытягиванием кристаллов из расплава. [35]
Вероятно, циклическое переходное состояние имеет значительные преимущества и по энтропийным соображениям, но можно полагать, чтб важную роль играет и высокая подвижность электронов оксипиридиновой системы. [36]
Основной причиной того, что GaAs используется в качестве материала для полевых транзисторов с затвором Шоттки, является, как уже указывалось, высокая подвижность электронов в этом материале. Однако если подвижность электронов проводимости в n - типа GaAs, который обычно используется в областях каналов полевых транзисторов, составляет около 5 - Ю3 см2 / В-с, то подвижность электронов в GaAs с проводимостью, близкой к собственной, значительно выше 9 103 см2 В-с. Причиной этого расхождения является рассеяние на донорных ионах. [37]
И наконец, в шестой главе рассмотрены ИС на полупроводниках группы AHIBV, например ИС на полевых транзисторах с барьером Шоттки, и структуры транзисторов с высокой подвижностью электронов ( ВПЭТ) на основе полупроводников AmBv, изложены основы построения приборов на переходах Джозефсона, работающих на совершенно других физических принципах, нежели полупроводниковые приборы, и описаны ИС на этих приборах. [38]
Интерес к арсениду галлия обусловлен тем, что по сравнению с кремнием он обладает высоким качеством полуизолирующей подложки ( р 106 - г - 108 Ом-см), в 5 - 6 раз более высокой подвижностью электронов, большей шириной запрещенной зоны. Это обусловливает возможность его использования в широком интервале рабочих температур и значительно большую устойчивость к воздействию ионизирующих излучений, а также возможность работать практически во всем диапазоне частот, включая оптический. [39]
Как уже говорилось, в современном состоянии разработок и исследований приборов на полупроводниках AUIBV, а также интегральных схем на их основе большое значение имеют разработки полевых транзисторов с затвором Шоттки и транзисторов с высокой подвижностью электронов. [40]
Графически зависимость между этими величинами представлена на рис. 6.6.2. В настоящее время нет общепринятой теории, описывающей связь и VQ, Кестнер и Джортнер [84] попытались использовать с этой целью модель протекания, в которой области с высокой подвижностью электронов 0 100 см2 х х В с 1) перемежались областями с низкой 0 0 06 см2 В 1 с 1) подвижностью. В этой модели, называемой моделью эффективной среды, суммарная подвижность вычисляется с помощью флуктуационной теории, и ее зависимость от V0 имеет вид S-образной кривой, показанной на рис. 6.6.2 штриховой линией. Такой подход применим также к полимерам с активными боковыми группами, такими, например, как ПВК. Как уже указывалось в разд. [41]
В первом приближении для рассмотрения такого движения электронов в цепи сопряжения применима обычная модель зонной теории. Однако высокая подвижность электронов вдоль цепи сопряжения - необходимое, но недостаточное условие для значительной электронной проводимости полимера. Дополнительно требуется, чтобы носители могли переходить с одной макромолекулы на другую. Разделить вклад внутримолекулярного движения носителей и переходов от одной цепи сопряжения в другую удается, измеряя проводимость полимерных полупроводников при различных частотах электрического поля. При переходе от постоянного тока к переменному с частотой порядка 5 МГц электрическая проводимость возрастает на 10 порядков, а дальнейшее повышение частоты не приводит к существенному изменению у. Аналогичные данные о возрастании электрической проводимости и уменьшении энергии активации ее при повышении частоты электрического поля были получены при исследовании полимера тетрацианэтилена и его комплексов с серебром, в которых носители свободно движутся в непрерывных областях сопряжений макромолекул и преодолевают значительный потенциальный барьер при переходе от одной области к другой. [42]
Здесь длина затвора L3 играет роль эффективной длины канала. Благодаря более высокой подвижности электронов in обеспечиваются большие, чем в кремниевых МДП-транзисторах, значения крутизны при тех же размерах. В отличие от кремния для арсенида галлия характерна меньшая критическая напряженность поля ( около 3 - Ю3 В / см), при которой дрейфовая скорость достигает насыщения. [43]
Отсюда следует вывод, что относительно небольшое число электронов в металлах связывает гораздо большее число атомов ( вернее, катионов металла), чем это соответствует простому парному взаимодействию. Это объясняется высокой подвижностью электронов, которые подобно газу занимают весь объем металла. Такой электронный газ, находящийся в одновременном владении всех катионов, и обеспечивает электростатическое притяжение между катионами и электронами, а следовательно, и связь в металлических кристаллах. [44]
Они отличаются высокой подвижностью электронов и конструктивной гибкостью. При создании быстродействующих ИС применяются соединения с согласованными кристаллическими решетками, например арсенид галлия-алюминия на арсенид-галлиевой подложке и арсенид индия-галлия на подложке из фосфида индия. Анализ показывает, что для транзистора с шириной эмиттера 1 мкм при коэффициенте разветвления по выходу 2 можно получить вентили с задержками всего 10 пс. [45]
Страницы: 1 2 3 4