Cтраница 2
Стенки разрядной трубки приобретают отрицательный потенциал Us по отношению к плазме из-за большей подвижности электронов. Этот потенциал устанавливается таким, что плотности ионного и электронного токов на стенку выравниваются. [16]
В последнее десятилетие в ограниченных масштабах начато применение арсенида галлия, отличающегося большей подвижностью электронов. [17]
Это получается несмотря на то, что в триодах п-р - п из-за большей подвижности электронов граничная частота усиления по току fa примерно вдвое больше ( для германиевых приборов), чем в триодах р-п - р той же конструкции. Дело в том, что одновременно вдвое увеличивается сопротивление базы из-за меньшей подвижности основных носителей ( дырок) в базе. [18]
Из группы соединений АщВу технологически наиболее легко получить в виде монокристаллов антимонит индия, обладающий большой подвижностью электронов, малой шириной запрещенной зоны и относительно низкой температурой плавления. Аналогичными свойствами обладает арсенид индия, получение которого технологически более сложно. [19]
В отличие от кремния германий обладает меньшей шириной запрещенной зоны ( 0 72 эв) и большей подвижностью электронов и дырок. Применяется главным образом для изготовления диодов и триодов, используемых в радиоэлектронной аппаратуре, а также датчиков Холла, для измерения напряженности магнитного поля, токов и мощности в электронной технике; используется для изготовления фототранзисторов и фоторезисторов, оптических фильтров, модуляторов света, изготовления счетчиков ядерных частиц. [20]
InAs во многом сходен с InSb; для него характерны малая эффективная масса электронов, узкая запрещенная зона, большая подвижность электронов и большое отношение подвижностей. Однако InAs гораздо труднее поддается очистке. В настоящее время наиболее чистый InAs имеет концентрацию примесей более Ю16 см-3. [21]
Почти все обратное напряжение в непроводящую часть периода концентрируется в ионной оболочке у анода, имеющей толщину 6, В силу большой подвижности электронов и очень малой толщины электронной оболочки, возникающей у катода, падения напряжения в распадающейся плазме и в электронной оболочке очень малы. [22]
Последние образованы плоскостным переходом металл-полупроводник. Благодаря большой подвижности электронов и малой емкости р-и-перехода диоды с барьером - Шотки можно использовать в свч диапазоне. По сравнению с точечно-коптакг-ными они обладают рядом преимуществ: меньшими шумами, высоким кпд преобразования, высоким напряжением пробоя, большей допустимой мощностью и, следовательно, большей надежностью. [23]
Канальный ток транзистора определяется также подвижностью носителей. За счет большей подвижности электронов по сравнению с дырками транзисторы с n - каналом характеризуются, как правило, более высокой крутизной проходных характеристик. С увеличением поперечного электрического поля начинает проявляться и механизм изменения крутизны характеристики транзистора, связанный с изменением подвижности носителей в канале. [24]
Обратимые нарушения, например в ПП и ИМ, наблюдаются при переходе электронов и дырок в неравновесное состояние. Однако из-за большой подвижности электронов и дырок равновесное состояние быстро восстанавливается после прекращения облучения. Тем не менее и обратимые изменения могут ухудшать параметры МЭ и ИМ, приводя к возрастанию токов утечки и снижению сопротивления в изоляционных, полупроводниковых и приводящих материалах. [25]
С этот кристалл ведет себя как типичный собственный полупроводник, в котором преобладающими дефектами являются электроны проводимости и дырки, присутствующие примерно в равных концентрациях. Однако вследствие большей подвижности электронов проводимости по сравнению с подвижностью дырок в этой области температур электропроводность теллура обусловлена в основном электронами. [26]
В области положительного свечения концентрация электронов и положительных ионов одинакова. Но в силу большей подвижности электронов проводимость газа обусловлена почти исключительно электронами. Так как при этих условиях число атомов в единице объема равно приблизительно 2 - 101В см-3, то, следовательно, около 1 / 200 части всех атомов ртути ионизировано. [27]
Из графика рис. 10.48 следует, что при малом налрижем. ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ материале наблюдается самая большая подвижность электронов. Отрицательная дифференциальная подвижность может привести к объемной неустойчивости в полупроводнике, вызывающей пульсации тока. Покажем, что в схеме рис. 10.45 в цепи диода Ганна действитель-го могут возникать регулярные пульсации тока. [28]
Это объясняется тем, что большая подвижность электронов в канале л-типа позволяет уменьшить геометрические размеры транзисторов ЗЭ при сохранении удельной проводимости, Р на прежнем уровне. [29]
По поводу металлической связи отметим лишь, что металлы имеют ионную решетку, построенную из катионов. Высокая тепло - и электропроводность металлов обусловлена большой подвижностью электронов. Представление об электронном газе имеет определенное значение и в органической химии, в особенности при объяснении и расчете поглощения света красителями. Об этом будет речь позднее. [30]