Большая подвижность - электрон
Cтраница 3
В германии и кремнии подвижность электронов заметно превышает подвижность дырок. Холла становится отрицательным согласно тому же уравнению из-за большей подвижности электронов, хотя концентрация дырок все еще превышает концентрацию электронов. [31]
Беспорядочное движение электронов при отсутствии поля служит объяснением большой теплопроводности металлов. Здесь выравнивание теплового состояния тела совершается гораздо скорее благодаря большой подвижности электронов. Легко понять, что теплопроводность, как и электропроводность, зависит от состояния электронного газа в металле. Поэтому следует ожидать существования зависимости между коэфициентом теплопроводности и удельной электропроводностью одного и того же металла. [32]
По технологическим и ряду других причин, связанных с электрофизическими параметрами полупроводниковых материалов, в микросхемах используют только кремниевые биполярные транзисторы. Наиболее широко применяют п-р - п транзисторы, так как вследствие большей подвижности электронов в базе они имеют лучшие электрические параметры - более высокие граничные частоты и быстродействие. [33]
В собственном полупроводнике п р коэффициент Холла чаще всего отрицателен из-за большей подвижности электронов. [34]
 |
Температурная зависимость удельной проводимости для антимонида индия с различным. [35] |
Среди всех соединений A111 Bv наиболее полно изучены электрические свойства InSb. Частично это объясняется сравнительной легкостью получения этого соединения, частично - очень большой подвижностью электронов, вызывающей явления, которые нельзя наблюдать в других полупроводниках вообще или при очень слабо выраженном эффекте. [36]
Благодаря широкой запрещенной зоне ( 1 35 эв у GaAs) и большой подвижности электронов ( до 80 000 см2 / в-сек у InSb и до 10 000 см2 / в-сек у GaAs при 300 К) InSb и GaAs имеют значительные преимущества перед многими другими соединениями АШВУ, а также германием и кремнием. Приборы, изготовленные на базе GaAs, могут работать при температурах до 475 С [17] и на более высоких частотах, чем приборы из германия и кремния. [37]
Известно, что электрический ток в плазме обеспечивается практически только электронной компонентой ввиду большой подвижности электронов по сравнению с ионами. [39]
По этой причине пространство вне короны заполнено густым облаком однополюсных ионов, плотность которого составляет около 5 - Ю4 ионов в 1 мм3; именно в этой зоне большее количество частиц пыли приобретает свой отрицательный заряд. Частицы пыли, проходя через зону короны, вероятно становятся положительно заряженными ввиду преобладания положительных ионов газа и большой подвижности электронов в этой зоне, а затем осаждаются на коронирующем электроде. Подвижность ионов газа и сосредоточение пыли вне зоны короны являются главными факторами, влияющими на вольтамперные характеристики электрофильтра. [40]
КМДП) применяют транзисторы с индуцированными каналами п-и р-тпа. При одинаковой конструкции я-канальные транзисторы имеют большую крутизну и более высокую граничную частоту, чем р-ка-нальные, вследствие большей подвижности электронов по сравнению с дырками. В большинстве микросхем используют транзисторы с горизонтальным каналом ( параллельным поверхности), однако существуют транзисторы и с вертикальным каналом, образующимся на стенках вытравленных канавок. Такие транзисторы занимают меньшую площадь на кристалле. [41]
В германии и кремнии подвижность электронов заметно превышает подвижность дырок. При повышении температуры до состояния компенсации ( p0Upn0usn) и дальше знак коэффициента Холла становится отрицательным, из-за большей подвижности электронов, хотя концентрация дырок все еще превышает концентрацию электронов. [42]
Строго говоря, степень вредности фотоэлектронов, возникающих на катоде, тесно связана с явлением электронного захвата. Любой фотоэлектрон может достигнуть в пределах мертвого времени той части анодного пространства, где существует большой градиент поля благодаря большой подвижности электронов по сравнению с подвижностью ионной оболочки. Однако захваченный электрон, образующий отрицательный ион, может достигнуть анодного пространства уже после окончания мертвого времени и таким образом вызвать новый разряд. Если величина произведения a nN ( а - эффективный коэфициент электронного захвата, п - среднее число столкновений между электроном и молекулами на пути от катода к аноду, N - число фотоэлектронов, возникающих на катоде) достаточна мала, а именно, много меньше единицы, то фотоны не будут влиять на механизм гашения разряда. [43]
 |
Зависимость концентрации носителей заряда в полупроводнике от температуры при различной концентрации донорной примеси ( Л / пз Л П2. [44] |
В германии и кремнии подвижность электронов заметно превы шает подвижность дырок. При повышении температуры до состояния компенсации ( рйЩ Ло п) и дальше знак коэффициента Холла становится отрицательным из-за большей подвижности электронов, хотя концентрация дырок все еще превышает концентрацию электронов. [45]
Страницы: 1 2 3 4