Закон - анизотропия
Cтраница 1
Закон анизотропии, справедливый для всех без исключения кристаллов, гласит: векторные свойства кристаллического вещества в любой точке объема в параллельных и симметричных направлениях одинаковы, в других направлениях различны. Законом анизотропии руководствуются в производстве оптических квантовых генераторов, в различных технологических процессах обработки монокристаллов полупроводников, например при резании их по определенным плоскостям, при травлении, при приготовлении так называемых р-л-переходов ( см. гл. [1]
Закон анизотропии, справедливый для всех без исключения кристаллов: векторные свойства кристаллического вещества в любой точке объема в параллельных и симметричных направлениях одинаковы, в других направлениях различны. [2]
Согласно закону анизотропии, справедливому для всех без исключения кристаллов, кристаллическое вещество однородно и анизотропно: его векторные свойства в любых внутренних точках кристалла в параллельных и симметричных направлениях одинаковы, в других направлениях - различны. Значения векторных свойств монокристалла в разных направлениях могут отличаться в тысячи и более раз. [3]
На основе закона анизотропии можно оценить величину магнитострикции насыщения поликристалла, который представляет собой совокупность монокристаллов, распределенных равновероятно по всему объему. Тогда проводится усреднение формулы (8.1) с учетом различных ориентации отдельных монокристаллов по отношению к направлению вектора самопроизвольного намагничивания и направлению измерения магнитострикции. [4]
В основной формулировке закона анизотропии говорится, что векторные свойства кристалла в любых его внутренних точках одинаковы в параллельных и симметричных направлениях. У кристаллов остальных 21 видов симметрии в прямом и в обратном направлениях величина свойства может быть одинакова, но может быть и не одинакова, в зависимости от характера поля, с которым взаимодействует кристалл. Так, у кристалла сфалерита ( Td-43 m) ( рис. V.I, с) плоскости ( 111) и ( iff) образованы либо только атомами А, либо только В - и несут заряды разных знаков. [5]
В результате возникает возможность глубже понять закон анизотропии. [6]
 |
Закон Вульфа. [7] |
В случае кристаллов, вследствие действия закона анизотропии, а для разных граней различна. [8]
В случае кристаллов, вследствие действия закона анизотропии, аш для разных граней различна. [9]
Выражение (3.3.13) впервые было получено Акуловым [6] и называется законом анизотропии Акулова для четных эффектов, поскольку его легко обобщить на случай любого эффекта, квадратично зависящего от намагниченности. [10]
 |
Поворотные осп 2, 3, А и fi и соответствующие проекции перпендикулярно оси. [11] |
Если подходить к форме и строению кристалла с точки зрения закона анизотропии, то, очевидно, в нем должны обнаруживаться не только симметричные точки м части, но и симметричные направления. [12]
В § 1.12 мы указывали, что, например, в таком пьезоэлектрике, как кварц, закон анизотропии проявляется по отношению к пьезоэлектрическим свойствам чрезвычайно резко. Это приводит к тому, что для различных целей и прежде всего для уменьшения температурных коэффициентов свойств ( частоты колебания и др.) кристаллы кварца приходится разрезать на пластинки под строго определенными углами, используя для этого станки с рентгенгониометрами. [13]
Таким образом, зависимость величины свойства от симметрии кристалла выглядит много сложнее, чем при первоначальном изложении закона анизотропии, формулировка которого должна быть уточнена. Более того, суперпозиция симметрии кристалла и симметрии внешнего поля создает новые представления о симметрии процесса, описание которой должно опираться на методы тензорного анализа. [14]
Закон анизотропии, справедливый для всех без исключения кристаллов, гласит: векторные свойства кристаллического вещества в любой точке объема в параллельных и симметричных направлениях одинаковы, в других направлениях различны. Законом анизотропии руководствуются в производстве оптических квантовых генераторов, в различных технологических процессах обработки монокристаллов полупроводников, например при резании их по определенным плоскостям, при травлении, при приготовлении так называемых р-л-переходов ( см. гл. [15]
Страницы: 1 2