Закон - анизотропия - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Если тебе до лампочки, где ты находишься, значит, ты не заблудился. Законы Мерфи (еще...)

Закон - анизотропия

Cтраница 2


Полупроводниковая электроника широко оперирует с монокристаллическими объектами. Здесь вступает в силу закон анизотропии, необходимость учитывать влияние различных направлений hkl на характер, скорость и результаты диффузии.  [16]

Не менее важное значение в подготовке инженера полупроводниковой электроники имеет кристаллохимия. Так, например, ери использовании монокристаллов в качестве полупроводников и диэлектриков особенно резко проявляется закон анизотропии. Пластинки кварца для кварцевых резонаторов, стабилизирующих радиочастоты, вырезаются из монокристалла под разными углами к осям кристалла и неправильный выбор этих углов неминуемо влечет за собой существенное ухудшение параметров резонатора.  [17]

Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для полупроводниковой электроники, техники квантовых оптических генераторов, процессов изготовления микроминиатюрных устройств, твердых и пленочных схем. IX) основано на диффузии легирующих примесей в полупроводниковый монокристалл из газа или расплава. Этот процесс сводится к налеганию молекул ( атомов) из газовой фазы и к диффузии их внутрь кристалла. Второй процесс медленнее первого, А так как диффузия примесей протекает по уравнениям первого порядка, то весь процесс псевдо-мономолекулярный. Таков же характер процесса травления полупроводника, если диффузионная стадия самая медленная. В этих случаях особую роль играет закон анизотропии кристаллов ( см. гл. IV), так как диффузия в кристаллах идет с разной скоростью в разных направлениях. Скорость роста кристаллов, скорость окисления кислородом, скорость травления зависят от того, какая грань подвергается воздействию.  [18]



Страницы:      1    2