Катионная подрешетка

Cтраница 2

Если же атомы Sn вместе с атомами Си располагаются в катионной подрешетке сфалерита или халькопирита, то первые занимают по крайней мере два неэквивалентных положения. [16]

Последняя имеет катионныи характер, так как основана на движении катионов в катионной подрешетке. [17]

Резко отличаются электронные состояния примеси ( Si), помещаемой в узлы анионной или катионной подрешетки к - BN, рис. 2.6. Если при замещении Si - В примесные состояния существенно делокализованы и примешиваются в основном к дну ЗП кристалла, инициируя электронную проводимость в допированной системе, то при замещении по типу Si - В примесные состояния образуют узкие локальные уровни в области запрещенной щели матрицы. Эти состояния частично заняты и расположены на - 1 0 эВ ниже дна ЗП. [18]

Дальнейшее возрастание коэффициента D с ростом концентрации Cd2 объясняется увеличением числа вакантных узлов в катионной подрешетке бромида серебра. [19]

Рассмотрение ферритов как фаз переменного состава с возможными отклонениями от стехиометрии в кислородной и катионных подрешетках [1] требует более строгого подхода к синтезу этих ферритов, поскольку нестехиометричность состава может оказывать существенное влияние на различные свойства ферритовых материалов. [20]

Например, при появлении анионной вакансии в решетке снижается плотность отрицательного заряда в той области катионной подрешетки, которая расположена вокруг этой вакансии. Это снижает на величину v ( рис. 28) энергию электронов для соответствующей области дефектной решетки. Так как дефекты решетки локализованы в пространстве, уровень е на рис. 28 является локальным уровнем, в то время как нахождение электрона в зоне проводимости означает просто его принадлежность к катионной подрешетке, по которой электрон движется с постоянной скоростью. В связи с тем, что при образовании вакансии из решетки удаляется не анион, а нейтральный атом, остающийся электрон захватывается катионной подрешеткой. Электрон в основном состоянии занимает уровень е, так как это отвечает наинизшему уровню энергии электрона в катионной подрешетке. При термическом возбуждении электрон может покинуть локальный уровень е и перейти в свободную зону. [21]

Здесь, как и ранее, коэффициент g равен отношению числа междуузлий к числу узлов катионной подрешетки, а коэффициент rzM / 2x - отношению чисел узлов анионной и катионной подрешеток. [22]

На основании этих данных следует сделать вывод, что избыток кислорода вызван образованием вакансий в катионной подрешетке железа, а не в результате внедрения кислорода в междоузлия. Следовательно, вюстит характеризуется четвертым типом нестехиометрии. [23]

Тройная система UO2 - О2. [24]

В системе двуокись урана - окись висмута по всему интервалу концентраций существует флюоритная фаза с полностью заполненной катионной подрешеткой и дефектной анионной. [25]

В этом состоит спектроскопическое проявление разупорядоченности расположения Zn2 и Са2, Na и Са2 в катионных подрешетках соответствующих твердых растворов. Обращает на себя внимание тот факт, что, судя по спектру, структурные изменения решетки ЗСаО - А1203 под влиянием ионов Na более значительны, чем под влиянием ионов цинка. Одной из безусловных причин этого является гетеровалентный изоморфизм пары Са2 - Na, сопровождающийся расположением в пустотах структуры второго, формально не изоморфного иона Na, выполняющего роль компенсатора валентности. [26]

Характеристика синтезированных шпинелей. [27]

Однофазность образцов, изменение параметра кристаллической решетки и относительного привеса образца - все эти факторы свидетельствуют об образовании вакансий в катионной подрешетке шпинели. [28]

Электростатическое поле ионов Na и С1 - в решетке NaCl понижает уровень энергии электрона в анионной подрешетке и повышает его в катионной подрешетке до такой степени, что состояния Na и С1 в кристалле NaCl относятся к электронно возбужденным состояниям. В основном состоянии решетки NaCl s - элактрон, принадлежавший атому натрия, расположен у иона хлора, и благодаря этому заполненная зона образуется электронами в анионной подрешетке. Эту зону называют валентной, чтобы отметить тот факт, что она образуется валентными электронами. Свободная зона в кристалле типа NaCl соответствует уровню энергии электронов в атоме металла. В действительности она перекрывается зонами высших электронно возбужденных состояний. Переход электрона из заполненной в свободную зону означает одновременно его переход от анионной к катионной подрешетке. [29]

В подрешетке закиси меди часть ионов одновалентной меДи заменяется на ионы двухвалентной, а электронейтральность достигается за счет возникновения дополнительных вакансий в катионной подрешетке. [30]

Страницы: 1 2 3 4