Катионная подрешетка
Cтраница 3
В подрешетке закиси меди часть ионов одновалентной меди заменяется на ионы двухвалентной, а электронейтральность достигается за счет возникновения дополнительных вакансий в катионной подрешетке. [31]
В работе [331] на основании изучения кинетики и механизма сульфидизации чистого хрома и сплавов хрома с различным содержанием никеля отмечены точечные дефекты главным образом в катионной подрешетке Cr. [32]
Вагнером было высказано предположение о том, что бинарные флюоритоподоб-ные твердые растворы в системах Zr02 - CaO, Zr02 - MgO и Zr02 - Y203 имеют полностью заполненную катионную подрешетку и вакансии в кислородной подрешетке. [33]
 |
Изменение с температурой электриче спои проводимости чистого хлорида калия и в присутствии добавок ВаС. [34] |
К числу простейших ионных сверхпроводников относится высокотемпературная - модификация иодида серебра, устойчивая в интервале температур от 147 С до температуры плавления ( 555 С) и обладающая разупорядоченной катионной подрешеткой. [35]
Установлено образование фазы переменного состава Naj - xGaj Qa xPC на основе высокотемпературной модификации a - NajPC, где 0.10 х 0.30 при 750 С и 0.15 х 0.35 при 900 С, П - вакансия в катионной подрешетке. Рентгенограмма фазы проиндицирована в ГЦК-решетке ( пр. В области составов 40 - 80 мол. [36]
Методами рентгенофазового анализа, ИК и КР спектроскопии изучено фазообразование в системе № зРС4 - GaPCU ( сечение 750 и 900 С); установлено существование фаз переменного состава Наз - хСах / зРСХ ( с вакансиями в катионной подрешетке) на основевысокотемпературной модификации фосфата натрия. Анализ ИК и КР спектров фаз системы полностью подтверждает результаты рентгенофазового анализа и указывает на структурную неэквивалентность позиций тетраэдров PU4 в твердом растворе. Измерена температурная зависимость проводимости твердого раствора состава Nao. С ее значение составляет 2 10 - 2См см, что имеет несомненное практическое значение. В системах LnPCVNasPC установлен характер взаимодействия компонентов и показано, что с уменьшением ионного радиуса лантанида увеличивается склонность к образованию сложных фосфатов. Эта фаза имеет протяженность от 2 до 15 % мол. [37]
В разупорядоченных кристаллах проводящие катионы не локализованы в определенных местах решетки, а непрерывно кочуют по вакантным пустотам. Катионная подрешетка таких кристаллов разрушена и находится в квазижидком состоянии. При этом понятия вакансии и межузлия нивелируются, число вакансий близко или даже превышает число самих ионов. Поэтому к разупорядоченным кристаллам неприменима теория Френкеля - Шоттки, в основе которой лежит предположение о незначительных нарушениях идеальной структуры кристалла. [38]
В разупорядоченных кристаллах проводящие катионы не локализованы в определенных местах решетки, а непрерывно кочуют по вакантным пустотам. Катионная подрешетка таких кристаллов разрушена и находится в квазижидком состоянии. При этом понятия вакансии и межузлия нивелируются, число вакансий близко или даже превышает число самих ионов. Поэтому к разупорядоченным кристаллам неприменима теория Френкеля - Шоттки, в основе которой лежит предположение о незначительных нарушениях идеальной структуры кристалла. [39]
Alzn имеет избыточный положительный заряд относительно катионной подрешетки, a Cls - положительный заряд относительно анионной подрешетки. У П имеет эффективный заряд минус два относительно нормальной решетки. Наши обозначения являются смешанными, так как символы AlZn и С13 обозначают реальные ионные заряды. [40]
Нами была выбрана фаза со структурой шеелита СаМоО4, допускающая модифицирование путем замены в Са2 ( МоО4) 2 кальция на пару ионов щелочного металла и лантаноида. При этом количество катионов в катионной подрешетке остается прежним. Установлено, что чем больше радиусы замещающих катионов отличаются от радиуса катиона кальция, тем более искажается кристаллическая структура фазы по отношению к кристаллической структуре шеелита. Но при этом, в той или иной степени сохраняется мотив этой исходной кристаллической структуры. [41]
Такие добавки понижают ионную проводимость, так как три четырехвалентных катиона замещают четыре трехвалентных. Вместо того чтобы создавать катионные вакансии в катионной подрешетке, эти добавки снижают отношение катионы / анионы и, приближая его к соотйетст-вующему идеальной химической формуле отношению 2 / 3, уменьшают дефектность окисла. Добавки катионов низшей валентности уменьшают электронную проводимость, так как отношение электроны / катионы уменьшается. Они повышают ионную проводимость, ; так как занимают больше катионных вакансий, чем катионы ме -: талла-растворителя, и, еще больше повышая отношение катионы / анионы по сравнению с величиной 2 / 3, делают окисел более дефектным. [42]
При нагревании кристалла в парах галогена возникает противоположная картина. В этом случае избыток неметалла обеспечивается вакансиями в катионной подрешетке, а компенсация заряда осуществляется электронными дырками. Такие центры называются У-центрами. Оптические свойства У-центров аналогичны свойствам - центров; различие состоит в том, что полоса поглощения У-центров лежит в инфракрасной области. [43]
Граница раздела между слоями кристаллического и стеклообразного CdGeP2 в таких слитках легко различима. В этой структуре в соединении катионы распределены в соответствующих узлах катионной подрешетки неупорядоченно, статистически. [44]
Двойные халькогениды индия In2S3, In2Se3, 1п2Те3 являются ионными кристаллами. Однако прямые структурные исследования их затруднены, вследствие наличия вакансий в узлах катионной подрешетки, узких областей гомогенности, отклонения от стехиометрии и тенденции к двойнико-ванию. Метод ЯКР может служить критерием для однозначного выбора той или иной структурной модели. Из данных ЯКР следует, ЧТОБ кристаллах i - In2S3, а - и p - In2Se3, а - 1п2Те3 атомы индия занимают по два кристаллографически неэквивалентных положения. Большие значения параметров асимметрии градиента электрического поля в p - In2Se3 ( гц 42 5 %, т ] 2 74 4 %) по сравнению с a - In2Se3 ( т 1 9 %, rj2 3 9 %) указывают на более высокую симметрию окружения атомов индия во втором случае. [45]
Страницы: 1 2 3 4