Букер

Cтраница 1

Зависимость плотности дефектов упаковки от условий роста ( скорость роста изменяли, регулируя концен - подложки. Вместе с тем, как и при росте. [1]

Букер и др. сообщают о существовании оптимальной области условий роста совершенных пленок, выход из которой в сторону как больших, так и меньших скоростей ухудшает структуру. Более того, при силановом процессе плотность дефектов упаковки убывает не с уменьшением, а с увеличением скорости осаждения. [2]

Букер Тальяфврро ВАШИНГТОН ( / 856 - / 9 / 5) - идеолог негритянской буржуазии в США. [3]

Электроннограмма, показывающая образование эпнтаксиалыюй п-емкн p - SiC на поверхности Si ( 111, пол уценкой в ре-ультате химического взаимодействия с уг-леродсодержащими органическими соединениями, находящимися в вакууме. [4]

Унвала и Букер [142, 143] показали, что рост пленки сильно зависит от скорости осаждения. [5]

Структура пористых пленок окиси алюминия ( схематически. [6]

Подобным образом Букер и Вуд [236] использовали для оценки толщины слоя основания пор данные по величине емкости и кривые ее разряда. [7]

По данным Унвала и Букера [183], при использовании источников с низким электросопротивлением ( р 5 ом-см для р-крем-ния и р 1 ом-см для re - кремния) сопротивления пленок и источника были почти одинаковы. Однако при испарении высокоомного кремния ( р 5 ом-см для р - Si и р 1 ом-см для п - Si) сопротивление пленок отличается от исходного, причем конденсаты всегда имеют р-проводимость. [8]

Еще одно различие выявляется при сопоставлении, с одной стороны, результатов Букера и др. по изучению структуры пленок кремния, выращенных по силановому процессу [154] и при вакуумной конденсации [186], и, с другой, данных рассмотренной в разд. [9]

Обращаем внимание на различие между данными Нотиса и Конрада [65], с одной стороны, и результатами Букера и др. [154, 183, 184], с другой. [10]

Зависимость скорости роста. [11]

Это необходимо хотя бы в связи с уже рассматривавшимися нами ( см. разд. Унвала и Букера, которые установили, что при выращивании кремния в определенном интервале скоростей конденсации ( ук 1 - 1 5 мк / мин) можно получить пленки с совершенной структурой. [12]

Дефекты упаковки на краю дырок золотой пленки.| Механизм генерации дислокаций несоответствия. [13]

При этом в эпитаксиалькых кремниевых пленках часто наблюдаются четырехгранные дефекты упаковки, обусловленные мелкими следами примесей на поверхности подложки. Это было показано в работе Унвала и Букер [143], изучавших различные стадии роста кремниевых пленок, осажденных в вакууме. Этот зародыш срастается с его соседом без каких-либо дефектов упаковки на поверхности раздела, в результате образуются наклонные дефекты упаковки, которые по очереди образуют основу для создания четырехгранных конфигураций дефектов. [14]

Этот способ можно использовать, например, для того, чтобы проконтролировать изменение активности фермента вследствие его денатурирования; среднее отклонение для точек калибровочной кривой 0 19 мВ, что соответствует 0.2 ед, аргиназы. По сравнению со спектрофотометрическими методами [631-633] определения аргиназы метод Букера и Хасмана [630] требует значительно меньше времени; длительность анализа составляет не более 10 мин. Кроме того, для проведения анализа не требуются холостые опыты, что экономит фермент и реактивы. Для определения ферментов пригодны и предложенные недавно электроды с воздушным зазором. Так, Ларсен и др. [638] применили электроды с воздушным зазором для определения активности уреазы и аргиназы. Анализ основан на контроле начальной скорости реакции селективного выделения аммиака, который образуется в системе аргинин - аргиназа при добавлении избытка уреазы. [15]

Страницы: 1 2