Закон - распределение - примесь
Cтраница 1
 |
Распределение примесей в полупроводнике после диффузии из неограниченного ( а и ограниченного ( б источников. [1] |
Закон распределения примесей по глубине рассматривается для двух граничных условий, соответствующих диффузии из неограниченного и ограниченного источников примеси. [2]
Закон распределения примеси но глубине ( диффузионный профиль) зависит от условий проведения процесса. [3]
Если известен закон распределения примесей, всегда можно определить ширину области объемного заряда и зависимость емкости от приложенного напряжения. [4]
 |
Эквивалентная схема замещения тео. [5] |
Коэффициент п зависит от закона распределения примесей в базе транзистора. [6]
 |
Катушка индуктивности в микроисполнении.| Микроминиатюрный конденсатор на полупроводнике. [7] |
Зависимость емкости р-п-перехода от приложенного напряжения определяется законом распределения примесей в пограничной зоне перехода, что позволяет изготовить конденсатор, емкость которого зависит от приложенного напряжения. [8]
 |
Диффузионные резисторы полупроводниковых ИС.| Топологические схемы диффузионных резисторов. [9] |
Удельное поверхностное сопротивление диффузионного слоя зависит от концентрации и закона распределения примеси внутри слоя, конфигурации сечения резистора, подвижности носителей и некоторых других факторов. Ширина резистора определяется из условий допустимой рассеиваемой мощности. [10]
Поскольку возникновение внутреннего электрического поля в базе связано с изменением концентрации N доноров или акцепторов в области базы, то для составления и решения уравнения дрейфа - диффузии необходимо рассмотреть закон распределения примесей в базе. [11]
В основу моделей первого вида положено предположение о том, что процесс распространения примеси в атмосфере во всех направлениях имеет статистические характеристики состояния систем диффундирующих частиц. При статистическом подходе принимается гауссовский закон распределения диффундирующей примеси по координатным осям. [12]
 |
Схема измерения поверхностного сопротивления четырехзондовым методом. [13] |
Между поверхностной концентрацией N0 и средней проводимостью слоя 0 существует жесткая связь. Для ее определения необходимо знать закон распределения примеси и исходную концентрацию Л исх. [14]
При более точных расчетах в формулах ( 27) и ( 29) необходимо учитывать зависимость коэффициента диффузии от концентрации примесей. Таким образом, если известен закон распределения примесей, то, подбирая температуру и время диффузии, можно получить полупроводниковые структуры с заданными параметрами. [15]
Страницы: 1 2