Закон - распределение - примесь
Cтраница 2
 |
Схема измерения поверхностного сопротивления четырехзондовым методом. [16] |
Между поверхностной концентрацией N0 и средней проводимостью слоя 0 существует жесткая связь. Для ее определения необходимо знать закон распределения примеси и исходную концентрацию Л исх. [17]
Этот режим работы основан на использовании лавинной ионизации и времени пролета носителей в р - n - переходе. Распределение поля в переходе зависит от структуры перехода и закона распределения примесей. [18]
Эти выводы, сделанные для ступенчатого перехода, справедливы и для плавных переходов. Но математические соотношения для плавных переходов изменяются в зависимости от закона распределения примесей в области, перехода. [19]
Другой не менее важной причиной, по которой желательно обеспечить плавный закон распределения примеси, является требование достаточно высокого обратного напряжения, потому что в режиме умножения или деления частоты амплитудное значение обратного напряжения может достигать нескольких десятков вольт. При высоких концентрациях N0 ( pn - мало) это требование является противоречивым. Однако при плавном законе распределения примеси ширина перехода становится больше, и вероятность туннельного просачивания электронов уменьшается. Приведенные выше формулы ( 113) и ( 114) для ия не могут быть использованы в данном случае, так как они получены для резкого перехода. [20]
 |
Экспоненциальное распределение концентрации примеси в базе диода. [21] |
Экспоненциальный профиль распределения легирующей примеси в реальных условиях трудно реализуем. Ионно-лучевой метод легирования определяет гауссовский закон распределения примеси. [22]
При проектировании на вновь разрабатываемом технологическом процессе, когда ни на одном из имеющихся технологических процессов серию ИС спроектировать невозможно, определяются требования к новому процессу. Критериями выбора физической структуры и геометрии в плане на этом этапе для интегрального транзистора являются параметры Л21э, / т, Ск и Сэ. Оценки этих параметров делаются на основании предполагаемых законов распределения примесей и электрофизических параметров структуры. Затем разрабатывается инженерная методика расчета электрических параметров активных компонентов и решаются задачи, для которых применяется тестовая топологическая схема. [23]
 |
Сопоставление диффузионного тока и тока проводимости через переход. [24] |
Если концентрация примесей на переходе изменяется скачком, то обычно такой р-п переход называют резким. Рассмотрим, как распределяется плотность объемного заряда и поле в области объемного заряда резкого р-п перехода. В плоскости раздела R при принятом нами законе распределения примесей ND NA концентрация свободных носителей равна собственной концентрации nt в чистом полупроводнике. [25]
Страницы: 1 2