Cтраница 4
Когда концентрация дефектов в кристалле невелика, отдельные дефекты удалены друг от друга и их взаимным влиянием можно пренебречь. При больших концентрациях дефектов расстояния между соседними дефектами невелики и можно ожидать частичного перекрытия областей локального искажения энергетического поля кристалла, связанных с образованием точечных дефектов. Любое взаимодействие, если оно осуществляется в системе частиц ( например, в кристалле), стремится привести систему в некоторое упорядоченное состояние, при котором позиции атомов и дефектов будут обусловлены требованием минимума энергии. [46]
Другие соединения имеют структуры, связанные со структурой цинковой обманки не столь простым способом. Например, в Zn3AsI3 заняты только три четверти позиций Zn, а позиции атомов S статистически занимают 3 I - j - As. Альтернативное описание этой сесквисульфидной структуры таково: атомы металла статистически занимают две трети тетраэдрических пустот в кубической плотнейшей упаковке атомов S. Еще одна возможность заключается в том, что некоторые позиции атомов S остаются вакантными. Если они свободны на одну четверть, как в Cu3SbS3 и Cu3AsS3, то каждый атом Sb или As имеет трех соседей ( пирамидальная кон - Фигурация) вместо четырех тетраэдрически расположенных атомов S. Эти структуры описаны более подробно в гл. [47]
Мы коснемся здесь лишь структур с последовательностью из 2, 3, 4 и 6 слоев ПУ; для соединений A3B2X9 и А2ВХ6 рассмотрим сначала только простейшие структуры, отвечающие каждой последовательности ПУ-слоев. Все атомы сорта А, лежащие в некотором слое А, расположатся над точками типа А, лежащие в слое В - над точками В других слоев; то же относится к С-слоям. Межслойная трансляция d переводит слой А в В, В в С, а С в А. В любой последовательности этих слоев, уложенных так, чтобы между слоями образовались октаэдрические пустоты Х6, позиции атомов сорта В в соединении АВХз также находятся над позициями А, В или С. Между слоями А и В они находятся над позицией С, между В и С - над позицией А, между А и С - над В. Поэтому положение атомов В может быть показано на схемах того же самого вида, который использовался ранее для бинарных соединений с плотнейшей упаковкой. [48]