Закон - вульф
Cтраница 3
Кристаллы анизотропны, поэтому каждая их грань имеет характерную для нее поверхностную энергию. Минимальная поверхностная энергия для кристаллов определяется законом Вульфа, который можно получить таким же образом, как и уравнение Лапласа. [31]
Кристаллы анизотропны, поэтому каждая их грань имеет характерную для нее поверхностную энергию. Для кристалла индекс i в соотношении (11.176) обозначает разные его грани. Минимальная позерхностная энергия для кристаллов определяется законом Вульфа, который можно получить, используя уравнение Лапласа. [32]
 |
К определению гладких и огрубленных граней.| К определению равновесной огранки кристалла. [33] |
Одно из первых исследований скоростей роста различных граней кристалла было выполнено Вульфом. Он помещал затравочный кристалл прозрачного вещества в раствор изоморфной соли и определял толщину слоев этого второго вещества, наросших на различные грани затравочного кристалла ( неравновесной формы); это позволило установить относительные скорости роста различных граней. Если известны скорости роста различных граней кристалла, на основании закона Вульфа можно предопределить, какими гранями должен ограниться кристалл, если его растить достаточно долгое время при постоянных внешних условиях. [34]
 |
Схема образования ямки травления у дислокации под действием растворителя. [35] |
Для выявления ямок травления на дислокациях берут тра-витель всегда довольно слабый с тем, чтобы растворение на бездислокационных участках было затруднено. При растворении в условиях, близких к равновесным, ямки получаются не бесформенными, а приобретают огранку, соответствующую структуре кристалла. Ямка будет огранена кристаллическими плоскостями с плотной упаковкой атомов соответственно закону Вульфа - Кюри-Гиббса. [36]
Интенсивность дифрагированного луча зависит также от размеров и формы объекта, от совершенства кристалла ( в частности, от величины блоков), условий опыта ( расходимость луча, степень монохроматичности луча, перемещение объекта во время съемки и пр. К своеобразным эффектам приводят тепловые колебания атомов. Они не только влияют на интенсивность лучей, дифрагированных согласно закону Вульфа - Брэгга, но и создают собственную картину рассеянии ( правда, в 1000 - 10000 раз более слабую), накладывающуюся на дифракционную картину, к-рую создал бы кристалл с покоящимися атомами. [37]
Интенсивность дифрагированного луча зависит также от размеров и формы объекта, от совершенства кристалла ( в частности, от величины блоков), условий опыта ( расходимость луча, степень монохроматичности луча, перемещение объекта во время съемки и пр. К своеобразным эффектам приводят тепловые колебания атомов. Они не только влияют на интенсивность лучей, дифрагированных согласно закону Вульфа - Брэгга, но и создают собственную картину рассеяния ( правда, в 1000 - 10000 раз более слабую), накладывающуюся на дифракционную картину, к-рую создал бы кристалл с покоящимися атомами. [38]
Если исследуемый кристалл, помещенный на пути монохроматического ( A - const) рентгеновского луча, поворачивать вокруг перпендикулярной к лучу оси и, таким образом, ставить поочередно систему плоскостей кристалла в отражающее положение, то наблюдается полная картина рассеяния. В этом случае для всех систем плоскостей кристалла в непрерывном спектре обязательно найдется длина волны К, удовлетворяющая закону Вульфа - Брегга. [39]
Основные принципы метасоматоза и метаморфических реакций, которые должны опираться на законы термодинамики, исследованы пока лишь в очень общих чертах. Первой попыткой можно считать работу Бейна19, посвященную разбору механизма этих процессов, которым Верхугея20 птозднее дал ясную формулировку как соотношениям поверхностного натяжения, контролирующим растворимость в порах твердого тела, Когда насыщенный раствор определенного числа составляющих при постоянной температуре проникает в маленькую пору, он становится пересыщенным в отношении тех составляющих, для которых парциальные молярные объемы Vi больше нуля, и ненасыщенным в отношении тех, для которых величина vt меньше нуля. Закон Вульфа, устанавливающий зависимость роста кристалла от поверхностной энергия на его гранях, выведен как следствие этих более общих закономерностей. [40]
Интенсивность рассеяния электронов максимальна в направлении падающего пучка и с увеличением угла рассеяния а резко уменьшается. Пусть где-то внутри кристалла находится источник диффузно рассеянных электронов. В направлении щ и аа рассеянные электроны встречают плоскости HKL кристалла, от которых отражаются в соответствии с законом Вульфа - Брегга. Эти направления соответствуют образующим конусов, осью которых является нормаль к отражающим плоскостям HK. Геометрия дифракции электронов, источник которых располагается внутри самого кристалла, та же, что и геометрия псевдо - Косселя для дифракции рентгеновских лучей ( см. гл. Картины линий Кикучи очень чувствительны к изменению ориентировки кристалла. [41]
Страницы: 1 2 3