Оптическое покрытие

Cтраница 2

Схема конструкции многопереходного солнечного элемента с У-образными канавками. [16]

Узкие полосы с плоской поверхностью благодаря наличию на ней окисного слоя защищены от проникновения легирующих примесей в процессе ионной имплантации. Металлический слой, осажденный на поверхность окисла, служит отражающим оптическим покрытием, способствующим увеличению поглоща-тельной способности элементов. Солнечный элемент освещается со стороны стеклянной подложки. [17]

Несмотря на стремительный рост разработок новых видов полимерных соединений и развитие новых методов получения полимерных пленок, выбор полимеров для создания оптических покрытий весьма ограничен. Это обусловлено тем, что к органическим полимерным пленкам, которые могли бы быть использованы в качестве оптических покрытий, как и к неорганическим пленкообразующим веществам, предъявляются особые требования. Полимерные пленки должны быть прозрачны для излучения широкой области спектра и без глубоких полос поглощения. Они должны быть исключительно однородными, достаточно термостабильными, химически устойчивыми и стабильными в различных условиях эксплуатации оптических приборов. [18]

Приложение I содержит таблицы фундаментальных констант, позволяющих для любого вещества с известным составом определить вещественную и мнимую части диэлектрической проницаемости в диапазоне длин волн от 0 6 нм до 12 4 нм. Впервые в таком виде эти таблицы были опубликованы Хенке, Ли, Танакой и другими в 1981 г. С тех пор таблицы Хенке широко используются для выбора оптических покрытий всевозможных устройств рентгеновской оптики, хотя на необходимость продолжать обширные и тщательные измерения оптических констант указывают многие авторы. [19]

Пленки, напыленные в вакууме. Ранние наблюдения напряжения выполнены на оптических покрытиях, где у слишком толстых слоев отмечалась тенденция к трещинообразованию, помутнению или даже отслаиванию от подложки. Изменяя напряжения в пленках различных материалов и используя переменные слои с напряжением сжатия и растяжения Тюрнер [145] смог увеличить общую толщину покрытия, доведя ее до величин порядка 6 - 40 мкм. Энное [181] отметил, что хотя в принципе напряжение в пленке и вполне достаточно для деформации оптического компонента с покрытием, однако на практике это может быть важным лишь для высокопрецизионных оптических систем. [20]

Приведены сведения об оптических свойствах лакокрасочных покрытий, пленкообразующих, пигментов и наполнителей и методах их исследования. Рассмотрена связь оптических показателей этих материалов с физико-механическими и структурными характеристиками. Описаны области применения лакокрасочных материалов в качестве оптических покрытий. [21]

Даже незначительные остаточные напряжения могут привести к искривлению поверхности зеркала, что в дальнейшем вызовет появление искажений. Большие же напряжения могут разрушить подложку и всю конструкцию зеркала. Вот почему контроль остаточных напряжений является актуальной и важной задачей при разработке технологий таких процессов; как литье под давлением, нанесение защитных и оптических покрытий, шлифование, резание и любая механическая обработка изделий, приводящая к их неравномерному разогреву. [22]

Металлопленочные элементы используются в точных измерителях мощности и аттенюаторах, вентилях и фильтрах сверхвысоких частот. На основе пленочной технологии изготовляются комбинированные термопары, металлополупровод-никовые болометры, пленочные терморезисторы и тензометры. Тонкие пленки находят широкое применение в металлографических исследованиях, при нанесении оптических покрытий, при изготовлении люминесцентных панелей, а также мишеней, используемых в ядерных экспериментах. Производство многих типов электронных приборов ( электроннолучевых трубок, фотоэлектронных умножителей, электронно-оптических преобразователей и др.) немыслимо без применения тонкопленочных слоев. [23]

Для получения более высоких скоростей мишень следует охлаждать. При попытках получить высокие скорости распыления путем увеличения плотности плазмы необходимо найти способы эффективного охлаждения подложки. В литературе последних лет обсуждается множество проблем, решить которые пытаются с помощью получения пленок методом ионного распыления. При этом исследуются различные пленки и разнообразные области их использования: от сверхпроводящих пленок до керметов ( одновременное распыление металлической и диэлектрической мишеней); от сегнето - и пьезоэлектрических пленок до ферромагнитных; от резистивных, проводящих и диэлектрических пленок для пассивных элементов микросхем до защитных и пассивирующих в активных устройствах; от покрытий для лучшего предохранения от коррозии, истирания и износа до пленок твердой смазки; от покрытий пластмассы дли электрических схем на гибких подложках или гибких соединителей до покрытий лезвий бритв; от фотоэмиссионных пленок до оптических покрытий; от попыток создания новых пленочных метастабильных сплавов до изготовления сплошных хромовых масок для фототравления. Перечисленные вопросы обсуждаются в других главах данной книги. [24]

SiO 2MOH - Н2 M2Si03), кислотостойка, полностью растворима только в плавиковой кислоте с добавками окислителей. В виде тонких ( 2000 - ь 9000 А) пленок, полученных испарением компактной моноокиси ( или микрогетерогенной смеси Si Si02), обладает высокой стабильностью элек-трофиз. Однако воспроизводимость ее параметров зависит от условий осаждения, в частности от скорости напыления и величины р0 в камере, которые влияют на состав конечного продукта. Тонкие моноокисные пленки применяют для создания оптических покрытий, в качестве пассивирующего слоя ( см. Пассивирование) и диэлектрика в тонкопленочных микроэлектронных устройствах. [25]

Все предложенные до настоящего времени теории зарождения и роста НК и пленок игнорируют реальное состояние поверхности раздела, участие во многих случаях химических реакций в процессе кристаллизации из газовой фазы, следствием которых является наличие слоя хемосорбированных молекул на поверхности раздела. При наличии хемосорбции непосредственный обмен между подложкой и средой практически отсутствует и хемосорбционный слой в известном смысле можно считать промежуточной двумерной фазой. Рост кристалла в этом случае, по-видимому, происходит в результате актов химического распада молекул хемосорбционного слоя, механизм которых совершенно не изучен. Особая трудность возникает при обсуждении возможных механизмов роста эпитаксиальных пленок сложных соединений при жидкофазном осаждении в связи с тем, что молекулярная форма нахождения большинства этих соединений в растворах и расплавах в настоящее время неизвестна. Поэтому единой достаточно удовлетворительной теории зарождения и роста НК и пленок при газофазном осаждении пока не существует. Необходимо дальнейшее накопление надежных экспериментальных дан: ных о реальной структуре ( атомной и электронной) поверхностей раздела, о явлении хемосорбции, о так называемой закомплексованности и других определяющих явлениях. Важным также в теории гетерогенного зародышеобразования пленок является установление соотношения между процессами статистического зародышеобразования на чистых подложках и на активных центрах. Имеются сведения ( Л. С. Палатник и др. 1972 г.) об образовании и длительном существовании в тонких пленках термодинамически неравновесных фаз. Поэтому пределы применимости к тонкопленочным системам ( приборы микроэлектроники, оптические покрытия и др.) диаграмм состояний, разработанных для систем массивных материалов, требуют подробного анализа и обсуждения. [26]

Страницы: 1 2