Просветляющее покрытие

Cтраница 3

Кроме того, эффективность светоизлучающих диодов повышают с помощью так называемых просветляющих покрытий, наносимых на поверхность полупроводника, либо приданием ей шероховатости для увеличения вероятности выхода света из полупроводника после многократных внутренних отражений. Цвет свечения зависит от доминирующей длины волны излучения. [31]

Например, коэффициент отражения р на преломляющей поверхности стекла при использовании различных просветляющих покрытий, уменьшается до следующих значений. [32]

Об использовании текстурированной поверхности для снижения отражения будет рассказано в 4.4.4. Нанесением просветляющего покрытия заканчивается изготовление солнечного элемента, причем оно служит также для пассивации поверхности и защиты ее от коррозии под воздействием атмосферы. Солнечные элементы, используемые в космосе, дополнительно покрывают стеклом для защиты от протонов низких энергий. [33]

Спектральная чувствительность двух гетеропереходных солнечных элементов p - CdTe - n - ZnSe, изготовленных методом газотранспортного осаждения в замкнутой системе. Показаны также предполагаемые зонные диаграммы для каждого элемента. [34]

Конечно, эти потери можно устранить путем включения слоя окна в состав многослойного просветляющего покрытия или создания тек-стурированных границ раздела. [35]

Недавно Балдхаупт и др. [54] сообщили о создании тыльно-барьерных солнечных элементов ( с просветляющим покрытием) площадью 1 см2 на основе д - CdS - p - Cu. [36]

В связи с этим для создания ступенчатой просветляющей системы необходимо использовать известные до сих пор прозрачные просветляющие покрытия, число которых довольно ограничено. [37]

Рассматривая вопросы лучевой прочности лазерных стекол, необходимо хотя бы кратко остановиться на лучевой прочности диэлектрических просветляющих покрытий, наносимых на рабочие поверхности активных элементов и являющихся до последнего времени наиболее слабым звеном с точки зрения лучевой прочности элементов лазера. [38]

Для изготовления монокристаллических солнечных элементов на основе р - InP - д - CdS ( с просветляющим покрытием из SiO, создаваемым методом вакуумного испарения) используют химически полированные легированные кадмием пластины фосфида индия р-типа проводимбсти, выращенного методом Чохральского. С со скоростью около 0 15 мкм / мин. Температура коаксиального изотермического испарителя, содержащего отдельно кадмий и серу, составляет 350 С. Контакт с InP получают путем осаждения электролитическим методом слоев Аи - Zn - Аи, а на поверхность CdS наносят контактную сетку из индия или сплава индия с галлием. [39]

S. Энергетическая зонная диаграмма типичного кремниевого солнечного элемента. толщина л-слоя увеличена. [40]

Слой л-типа толщиной 0 4 - 0 5 мкм создают диффузионным способом, затем наносят электрические контакты и просветляющее покрытие. Зонная диаграмма солнечного элемента приведена на рис. 4.15, а параметры типичного элемента на основе п - р - р - структуры следующие. [41]

Термостимулированные механические напряжения могут приводить, к отслаиванию контактов или уменьшению силы сцепления металла, к растрескиванию самого элемента и просветляющего покрытия. Может происходить также разложение просветляющих покрытий при повышенных температурах. [42]

При решении последнего из перечисленных вопросов потребуется проведение оптимизации толщины базового и верхнего слоев, структуры контактной сетки, параметров просветляющего покрытия и отражающего тыльного контакта, а также профиля распределения примеси в поверхностном слое. Кроме того, необходимо исследовать возможность повышения эффективности собирания носителей заряда за счет уменьшения толщины фотоактивного слоя и создания высокоотражающего тыльного контакта. В элементе такой конструкции, предложенной Ред-филдом [39], двукратное прохождение света через слой кремния обеспечит достаточно полное его поглощение. [43]

Лазерный луч диаметром 9 5 мм расширяется до диаметра 50 мм при помощи двояковогнутой 9 и двояковыпуклой 8 линз с просветляющим покрытием. [44]

Полупроводниковые кристаллы отличаются от диэлектрических большими значениями показателя преломления ( до - 9), что требует во многих случаях нанесения просветляющих покрытий. Оптические свойства полупроводников весьма сильно зависят от температуры. Полупроводниковые кристаллы являются перспективными оптическими материалами ввиду возможности синтеза большего числа полупроводниковых соединений с самыми различными оптическими характерист иками. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5