Просветляющее покрытие

Cтраница 4

Устройство и схема включения полевого фототранзистора с управляющим р - - переходом показаны на рис. 7.20, а, где / - просветляющее покрытие; 2 - диэлектрический слой; 3 - область истока п - типа; 4 - канал - типа; 5 - область затвора р-типа; 6 - стоковая область п - типа; 7 - выводы прибора; Rn-резистор нагрузки в цепи затвора; Rn. [46]

Сравнить просветляющие свойства текстурированной поверхности и плоской поверхности Si без просветляющего покрытия и с Та205 можно, обратившись к рис. 4.19. Нанесение просветляющего покрытия Та205 снижает коэффициент отражения примерно до 2 % почти во всем полезном диапазоне длин волн. [47]

Зависимость коэффициента двухфотонного поглощения QaAs от параметра импульса i % ( ft - J 2. Пунктирная кривая для некогерентного взаимодействия ультракороткого импульса с GaAs. [48]

Так как учет влияния отраженного света на мощность поглощения чрезвычайно усложняет задачу, то будем считать, что на заднюю поверхность фильтра нанесены просветляющие покрытия и ее коэффициент отражения R равен нулю. [49]

Одним из важных параметров волоконной оптики является пропускание на единицу длины, зависящее от плотности компоновки волокон, отношения толщин волокна и оболочки и эффективности просветляющего покрытия. Среднее значение коэффициента пропускания волокон из трехсернистого мышьяка с оболочкой в спектральном интервале 3 2 - 5 5 мк составляет примерно 0 9 на 25 мм длины волокна. [50]

При изготовлении солнечных элементов диэлектрические пленки применяются для создания электроизоляционных и промежуточных слоев между металлами и полупроводниками; кроме того, они используются в качестве пассивирующих и просветляющих покрытий. В следующих разделах кратко рассмотрены свойства нескольких видов диэлектрических пленок, влияющие на характеристики элементов, а в табл. 3.6 приведены некоторые электрические и оптические параметры этих пленок. [51]

Принципиальная схема линейной антенны. [52]

На осяове радиополяризационного метода могут быть получены фотографии основных характеристик анизотропного состояния: изоклин и линий равной степени анизотропии - путем применения волн круговой поляг ризации, просветляющих покрытий и телевизионной техники. [53]

Эти элементы имеют относительно большую площадь ( 8 3 см2) и состоят из фотоактивного слоя р-типа толщиной 25 мкм, поверхностного слоя д - типа толщиной 0 5 мкм и просветляющего покрытия из SiO. Установлено, что влияние границ зерен на фото-ток не столь значительно. [54]

Поскольку в используемом спектральном диапазоне ( от 0 35 до 1 1 мкм) коэффициент отражения чистого кремния принимает значение 33 - 54 % [ Runyan, 1965 ], на его поверхность необходимо наносить просветляющие покрытия. В качестве просветляющих покрытий используют слои SiO, SiO, Si3N4, A12O, ТЮ2 и Ta205, причем последний из них особенно эффективен для-солнечных элементов с расширенной областью спектральной чувствительности ввиду его высокого пропускания в УФ-диапазоне. [55]

Для увеличения коэффициента прозрачности оптической среды hup подбирают материал светоизлучателя, фотоприемника и оптической среды по коэффициенту преломления, технологически устраняют инородные включения на границах раздела светоизлучатель - оптическая среда - фотоприемник, используют иммерсионные среды, просветляющие покрытия и световоды в канале связи светоизлучатель - фотоприемник, улучшают конструкцию оптопары. [56]

На рис. 4 представлена также зависимость коэффициента спектрального отражения от поверхности кремниевого фотоэлемента до и после нанесения пяти - ( ТЮ2 СеО2 2гО2 клей стекло) или семи-слойяых ( ТЮ2 СеО2 2гО2 8Ю А12Оз клей - - стекло) просветляющих покрытий. [57]

Ом - см 1); слой диэлектрика ( Nb2O5) толщиной - 2 нм; пленка сплава Аи ( 90 %) - Pd ( 10 %) толщиной - 7 нм на основе металлов с большой работой выхода и просветляющее покрытие из ZnS толщиной 35 нм, которое является верхним слоем элемента. [58]

Ом-см и неоднородно легированной пленки 7i - Si толщиной - 10 мкм методом химического осаждения из паровой фазы с использованием термически активированной реакции восстановления трихлорсилана ( необходимая легирующая примесь содержится в водороде) при температуре подложки около 1150 С и средней скорости роста - 1 мкм / мин; 4) получение контактной сетки с помощью вакуумного испарения Ti и Ag через металлическую маску; 5) создание просветляющего покрытия из SnO2 путем окисления тетраметилолова при температуре 400 С в атмосфере Аг; 6) отжиг полученной структуры в атмосфере Не, стимулирующий диффузию примесей к границам зерен. Графитовая пластина служит омическим контактом к р - области элемента, а низкоомная подложка из металлургического кремния р - типа обусловливает появление электрического поля на границе раздела p - Si - p - Si вблизи тыльной поверхности. Вследствие неоднородного легирования верхнего слоя M - Si в нем образуется тянущее электрическое поле. [59]

Согласно результатам измерений вольт-фарадных характеристик, концентрация легирующей примеси в р - InP равна 8 3 - 1016 см-3. Просветляющее покрытие из SiO получают посредством вакуумного испарения вещества при температуре подложки около 100 С. Контакт к пленке CdS осуществляется с помощью индия, наносимого из расплава. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5