Cтраница 2
Из ( 11 8) видно, что потенциал поля поляризации зависит от геометрических параметров и критериев электрохимического подобия на электродах. В том случае, если определяют распределение тока на каком-либо одном электроде, влиянием второго электрода, как это будет показано ниже, можно пренебречь. [16]
Соотношение ( 11 10) показывает, что интенсивность поля поляризации одной и той же геометрической области зависит от критерия электрохимического подобия: поле поляризации при всех прочих равных условиях тем интенсивнее, чем больше критерий электрохимического подобия. [17]
Поле Е ( г, t), наведенное полем поляризации Р ( г, t), присутствующим внутри резонатора, удовлетворяет неоднородному уравнению Гельмгольца и граничному условию (7.10.3) на зеркалах. [18]
Это означает, что вторичное поле совпадает с первичным, поле поляризации отсутствует ( С / 0), а распределение тока qi ( M) является наиболее неравномерным. [19]
Это означает, что вторичное поле совпадает с первичным, поле поляризации отсутствует ( U - - 0), а распределение тока pi ( 5) является наиболее неравномерным. [20]
Рассмотрим конкретный пример разложения поля вторичного распределения тока на первичное поле UQ и поле поляризации U в электролите щелевой ячейки. Расчеты потенциалов рассматриваемых полей были осуществлены на электроинтеграторе ЭИ-12. На рис. 24 изображена соответствующая щелевой ячейке сетка сопротивлений, набранная на приборе. За основной линейный размер IQ была выбрана ширина катода, равная десяти шагам сетки. К узлу сетки ( 6 1), отвечающему щелевому аноду, подключалось дополнительное сопротивление, равное 30 %, служащее для контроля силы тока в системе. Установленные на сетке электроинтегралы, внешние сопротивления соответствуют критерию электрохимического подобия, равному единице. [21]
Аналогичный характер и конфигурация полей поляризации позволяют допустить в ряде случаев, что все три поля поляризации при линейных граничных условиях подобны друг другу. Отметим, что речь идет не о точном, а лишь о приближенном подобии этих полей. Допущение подобия полей поляризации в ряде случаев может упростить расчеты и послужить основой для приближенного решения задачи, приводящего к получению ответа в виде аналитической формулы. [22]
![]() |
Смещение заряда в анизотропном диэлектрике под действием индуцирующего поля D. [23] |
Важно подчеркнуть, что в изотропном диэлектрике все эти поля лежат на одной прямой, хотя поле поляризации Р и направлено навстречу полям D та. Простые численные и векторные соотношения, связывающие поля D, E и 4яР, сильно усложняются при переходе к кристаллам, к анизотропным диэлектрикам. Это усложнение связано с тем, что в общем случае в отличие от изотропных тел направление смещения частиц под действием внешнего индуцирующего поля не совпадает с направлением этого поля. [24]
Уо - часть вторичного поля, которая связана с протеканием электрохимических процессов, и ее называют потенциалом поля поляризации. [25]
При низких частотах скорость избыточного электрона много больше скоростей ионов и можно считать, что электрон адиабатически следует за флуктуациями поля поляризации. В этом случае поле поляризации можно трактовать как классическое. Па больших расстояниях порождаемое электроном поле является кулоновским, но поскольку пространственная область, в которой локализован электрон, имеет конечные размеры, на малых расстояниях потенциал остается ограниченным. [26]
При низких частотах скорость избыточного электрона много больше скоростей ионов и можно считать, что электрон адиабатически следует за флуктуациями поля поляризации. В этом случае поле поляризации можно трактовать как классическое. На больших расстояниях порождаемое электроном поле является кулоновским, но поскольку пространственная область, в которой локализован электрон, имеет конечные размеры, на малых расстояниях потенциал остается ограниченным. [27]
Соотношение ( 11 10) показывает, что интенсивность поля поляризации одной и той же геометрической области зависит от критерия электрохимического подобия: поле поляризации при всех прочих равных условиях тем интенсивнее, чем больше критерий электрохимического подобия. [28]
Формализм слабой связи пригоден для большинства ионных кристаллов, так что свойства избыточного электрона в этих средах существенно не зависят от взаимодействия с полем поляризации среды. Иначе говоря, предел слабой связи приводит к возмущенным функциям блоховского типа, характеризующимся равной вероятностью нахождения электрона во всех точках среды. Таким образом, в случае ионных кристаллов современное описание полярона соответствует движению электрона совместно с поляризацией среды. [29]
Если учесть, что суммарный ток всегда направлен от анода к катоду, то оказывается, что на нагруженных участках любого из электродов ток поля поляризации направлен навстречу току первичного поля, а на участках с меньшей плотностью тока направление тока первичного поля и поля поляризации совпадают. [30]