Поле - порядок
Cтраница 3
 |
Вольт-амперная характеристика диода в координатах In la. [31] |
Как видно, при высоких температурах металла и полях порядка 104 в / см эффект Шоттки имеет уже вполне заметную величину. [32]
 |
Схема термо - - электронной ионизации. [33] |
В этом случае эффект может быть заметен при полях порядка 10е в / см. Еще более вероятен туннельный эффект на контакте полупроводника и металла ( см. рис. 36 6), если при этом ширина барьера не увеличивается областью объемного заряда. На туннельном эффекте основано действие туннельных диодов. [34]
К сожалению, прямых данных о величине подвижности при пробивных полях порядка Ю в-см 1 не имеется. Если считать, что отрицательный ион образуется в результате прилипания электрона к нейтральной молекуле, то под влиянием сильного поля этот электрон может случайно оторваться; тогда средняя подвижность должна зависеть от поля. Эта величина намного больше значений подвижности отрицательных ионов в слабых полях, но вместе с тем значительно меньше величины, ожидаемой для совершенно свободного электрона. [35]
 |
Устройство электролюминесцентного индикатора.| Зависимость яркости. [36] |
Чтобы привести атомы кристаллов в возбужденное состояние, необходима напряженность поля порядка 109 В / м, в результате чего происходит разгон электронов и ионизация центров активации. [37]
Таким образом, воздействие вихревых электрических полей с магнитной индукцией инициирующего поля порядка 0 1 Т приводит к существенному сдвигу кривых течения; при этом предельное напряжение сдвига существенно уменьшается и неньютоновская система по характеру течения приближается к ньютоновской. Эффект возрастает при повторных воздействиях полем на рассматриваемую систему. Память от обработки сохраняется в течение нескольких суток. [38]
Таким образом, хотя / ( х) неприводим над полем порядка q, в поле порядка f он имеет корень. [39]
 |
На - Требуемые значения Яып и Нмакс. [40] |
В некоторых случаях требуется определить начальный участок кривой индукции в полях порядка 0 001 в / см, например, при нахождении характеристик в области начальной проницаемости. Если намагничивающая обмотка имеет значительное число витков, то для получения указанной напряженности поля необходимо пропускать токи порядка долей микроампера, измерение которых затруднено. Для получения малых величин напряженности намагничивающего поля в тороидах применяют намагничивание одиночным проводом ( рис. 3 - 2), проходящим в центре образца. [41]
Существуют материалы ( особенно некоторые сорта пермаллоя), которые насыщаются полями порядка величины земного поля. Это свойство используется для коррекции некоторых показателей курса на борту самолета. [42]
 |
Потенциальная диаграмма для границы металл-вакуум при наличии внешнего электрического поля. [43] |
Подсчитано, что для компенсации потенциального барьера необходимо иметь у поверхности напряженность поля порядка 108 в / см. Однако уже при напряженности поля порядка 106 в / см наблюдается значительная электронная эмиссия с холодных поверхностей. [44]
Значительная поверхностная плотность зарядов ( после отрыва первой обкладки) создает напряженность поля порядка 15 кВ / см. В первый момент времени после отрыва фольги, когда разряд в промежутке между образцом и фольгой еще не произошел, напряженность поля, по-видимому, еще более высокая. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5