Поле - порядок - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Всякий раз, когда я вспоминаю о том, что Господь справедлив, я дрожу за свою страну. Законы Мерфи (еще...)

Поле - порядок

Cтраница 4


46 Аберрации. I - угловая, II - энергетическая. [46]

Чтобы ион 14N описал окружность радиусом 25 см в электростатическом анализаторе, необходимо поле порядка 160 в / см. Поскольку в уравнение ( 5) не входит масса, считается, что электростатический анализатор нельзя использовать для анализа масс. Однако с его помощью можно анализировать кинетическую энергию, так как изменения V приводят к изменению радиуса. Фактически в выходной плоскости получается энергетический спектр ионного луча, если он неоднороден по энергии.  [47]

Нормально в базе германиевых и кремниевых дрейфовых транзисторов мы имеем дело с напряженностью поля порядка 500 - 700 в / см. В гл. VI, оценивая влияние уровня инжекции, мы отмечали, что при полях в десятки в / см дрейфовая составляющая скорости становится сравнимой с диффузионной составляющей и даже превосходит ее. Естественно, что при полях в сотни в / см мы можем пренебрегать диффузионной составляющей и считать, что неосновные носители проходят через базу с постоянной скоростью. Таким образом, при той же плотности тока начальная концентрация в дрейфовом транзисторе будет ниже, чем в бездрейфовом, и будет постоянна почти до самого коллекторного перехода. Поле в коллекторном переходе имеет напряженность в тысячи и даже десятки тысяч в / см. Скорость движения носителей там приближается к скорости насыщения. Рост плотности тока приводит сначала только к увеличению начальной концентрации.  [48]

Установлено, что для компенсации потенциального барьера достаточно иметь у поверхности катода напряженность поля порядка 10 - 10 В / см. Большое влияние на величину электростатической эмиссии оказывает форма и состояние поверхности катодов, наличие на их поверхности даже микроскопических выступов приводит к росту местной напряженности вблизи этих выступов и увеличению потока электронов из них. Явление электростатической эмиссии используется в ионных приборах с ртутным катодом.  [49]

50 Форма колебаний тока в полупроводниках с N-образной вольтам-перной характеристикой. а - образование домена. Ь - движение домена. с - исчезновение домена. [50]

Оценки показывают, что насыщение ( независимость / от Е) наступает в полях порядка 10 В / см, а величина УД 10 Ом / с.  [51]

Обычно в определенном интервале напряженностей поля ( для ферритовых сердечников этот интервал приходится на поле порядка 1 - 10 а / см) зависимость ( 1 - 67) линейна.  [52]

Таким образом, хотя / ( х) неприводим над полем порядка q, в поле порядка f он имеет корень.  [53]

Таким образом, в количественном отношении ожидаемый эффект оказывается довольно слабым, и только при полях порядка ста тысяч гаусс уширение становится значительным. Однако в этих условиях обычно более резко сказываются другие факторы, вызывающие уширение линии.  [54]

Если поле F - бесконечно, то число возможных векторов также является бесконечным; если же F - поле порядка т, то векторное пространство V размерности N ( Л - мерное векторное пространство) содержит всего mN векторов.  [55]

Подсчитано, что для компенсации потенциального барьера необходимо иметь у поверхности напряженность поля порядка 108 в / см. Однако уже при напряженности поля порядка 106 в / см наблюдается значительная электронная эмиссия с холодных поверхностей.  [56]

Вычисление показывает, что для преодоления сил, удерживающих электрон в Металле - для преодоления этого энергетического барьера была бы необходима громадная напряженность поля порядка миллионов вольт на сантиметр. В действительности холодная эмиссия наблюдается при меньших напряженно-стях. При определенных условиях для некоторых веществ она обнаруживается при относительно небольших напряженностях поля. Электроны, которые в этих случаях не могут получить извне энергию, достаточную для преодоления энергетического барьера их связи с веществом, как бы просачиваются через этот барьер. В связи со сказанным холодную эмиссию, наблюдаемую при напряженностях поля, недостаточных для преодоления энергетического барьера, называют эффектом просачивания, или туннельным эффектом.  [57]

В числах последних двух классов после запятой всегда формируется нуль ( старший бит мантиссы), при этом денормализованные числа содержат все нули в поле порядка. Появление ненормализованных и денормализованных чисел приводит к исключительным ситуациям, о которых сопроцессор сигнализирует особым образом. Подробно вопросы обработки исключительных ситуаций будут описаны далее. Преобразование исходных данных, представленных в памяти в любом другом формате ( ЦС, КЦ, ДЦ, ДД, KB, ДВ), в формат ВВ осуществляется сопроцессором автоматически при загрузке данных. Такое преобразование никогда не приводит к потере точности. Заметим, что при необходимости можно заставить сопроцессор ВМ87 использовать другой формат, а именно KB или ДВ, что осуществляется программно и используется для эмуляции на основе ВМ87 какого-либо другого вычислителя с разрядностью, не превышающей 32 или 64 бит соответственно.  [58]

Оценка по формуле ( 459) показывает, что при ей 1 эВ вероятность электрического пробоя Зинера ( туннельного эффекта) становится заметной при полях порядка 107 В / см. Вероятность электрического пробоя в донорных полупроводниках может быть заметной при полях порядка 106 В / см. Еще более вероятен эффект Зинера на контакте полупроводника и металла ( см. гл.  [59]

Поле порядка v Z2 - ( Zi p) согласно уравнению ( 7 - 336) создает при неподвижном роторе ( сог0) момент прямой последовательности, тогда как поле порядка v Z2 - ( Zi - р) при к. Поле порядка v Z2 - ( Z - р) создает в области ( ог - co / ( Zi - р) положительный, а в области сог - - co / ( Z.  [60]



Страницы:      1    2    3    4    5