Поле - холл
Cтраница 3
В плоской полупроводниковой пластине при воздействии магнитного поля в направлении, перпендикулярном плоскости пластины, поле Холла оказывается ослабленным за счет шунтирующего действия токовых электродов. В результате сила Лоренца, воздействующая на электроны, оказывается скомпенсированной не полностью, и траектории их движения искривляются. [31]
В полупроводниках, имеющих вырожденные зоны, более подвижные носители заряда играют большую роль в образовании поля Холла, чем в проводимости. [32]
 |
Измерители свч мощности. [33] |
Из соотношения (7.27) видно, что между плотностью потока энергии в данной точке электромагнитного поля и полем Холла Ez в датчике Холла, помещенном в эту точку, существует однозначное соотношение. Это позволяет считать измеряемую эдс Холла мерой проходящей мощности. [34]
Эффект магнитосопротивления зависит не только от материала полупроводниковой пластины, но и от ее формы, поскольку поле Холла определяется геометрией образца. Наиболее / наглядным примером влияния геометрии образца на эффект магнитосопротивлеиия является диск Кор - бийо, представляющий собой полупроводниковую пластину в форме диска, к центру которого ток подводится, а отводится при помощи электрода, опоясывающего диск по окружности. [35]
Это приводит к тому, что у поверхностей а и б возникает заряд, а вместе с ним и поле Холла. [36]
Магнитное поле в магнитодиодах не только уменьшает подвижность, но и искривляет линии тока, так как в них концентрации электронов и дырок практически одинаковы и поле Холла отсутствует. [37]
Движение ( дрейф) электронов и дырок при заданном направлении тока противоположно, а их отклонение в магнитном поле, обусловленное дрейфовой скоростью, одинаково. Благодаря этому поле Холла в электронном и дырочном полупроводниках имеет противоположный знак, а эффекты Эттингсгаузена, Нернста и маг-нетосопротивление от знака носителей заряда не зависят. [38]
Движение ( дрейф) электронов и дырок при заданном направлении тока противоположно, а их отклонение в магнитном поле, обусловленное дрейфовой скоростью, одинаково. Благодаря этому поле Холла в электронном и дырочном полупроводниках имеет противоположный знак, а эффекты Эттингсгаузена, Нернста и магнето-сопротивление от знака носителей заряда не зависят. [39]
Первое слагаемое описывает нормальный X. Вклад в поле Холла, пропорциональный намагниченности Л /, наз. R и обладает сильной ( по сравнению с Л) зависимостью от темп-ры. В монокристаллах R, также является тензорной величиной. [40]
Противоположные стороны образца заряжаются, и возникает поперечное по отношению к F электрическое поле. Это поле носит название поля Холла, а явление возникновгния поперечного поля под действием магнитного поля называется эффектом Холла. Направление поля Холла Ен зависит от знака носителей заряда, в нашем случае Ен направлено вверх в л-образце и вниз в р-образце. [41]
 |
Угол Холла в неограниченном ( о, б и ограниченном ( в, г полупроводниках ( а, в - n - тип. б, г-р-тип. [42] |
Противоположные стороны образца заряжаются, и возникает поперечное по отношению к F электрическое поле. Это поле носит название поля Холла, а явление возникновения поперечного поля под действием магнитного поля называют эффектом Холла. Направление поля Холла Ен зависит от знака носителей заряда, в нашем случае Ея направлено вверх в n - образце и вниз в р-образце. [43]
Однако скорости движения носителей неодинаковы из-за теплового размытия, поэтому поле Холла компенсирует действие силы Лоренца только для носителей, движущихся со средней скоростью. На более медленные носители сильнее действует поле Холла, а на более быстрые - сила Лоренца. Поэтому вклад в проводимость носителей, движущихся со скоростью, отличной от средней, в магнитном поле оказывается меньше. [44]
Порядок величины компонент тензоров Pikim и - / и определяется значением уд. Q) квадратично зависит от Н, а поле Холла ЕН - линейно. Численные значения компонент Pikim и bifc олрсделяются параметрами рассеяния электронов и могут быть вычислены только с использованием конкретных предположений о рассеянии носителей заряда в твердом теле. Однако число независимых компонент этих тензоров ( анизотропия Г.я. в слабых полях) не зависит от механизмов рассеяния, а только от симметрии кристалла. [45]
Страницы: 1 2 3 4