Кристаллическое поле

Cтраница 1

Кристаллическое поле, действующее на атом Fe3 в высокоспиновом состоянии, характеризуется сильной аксиальной компонентой. [1]

Примеры ковалептных связей. [2]

Кристаллическое поле может быть создано точечными зарядами или диполями соседних ионов или молекул, расположенными в определенном порядке в узлах кристаллической решетки. Поле называют кристаллическим даже в том случае, когда ион-комплексообразова-тель находится в растворе или в стеклообразном веществе, поскольку и здесь он окружен определенным количеством более или менее правильно координированных лигандов. [3]

Кристаллическое поле разрушает связь между орбитальным и спиновым моментами, что приводит только к спиновому магнетизму. [4]

Примеры ковалентных связей. [5]

Кристаллическое поле частично или полностью снимает ( 2 / 1) - кратное вырождение каждого уровня, что полностью меняет простейшие выводы о магнитных моментах редкоземельных ионов, сделанные в § 1.4, при низких температурах, когда заселенность различных кристаллических компонент станет неравномерной. [7]

Кристаллическое поле не влияет на спиновое вырождение терма, так как в S6 не входят спиновые термы. [8]

Энергетическая диаграмма расположения уровней для одного Зй-электрона, демонстрирующая влияние кристаллических полей ( КП различной симметрии. Занятые электронами уровни отмечены кружком в состоянии ( г и стрелками в ( д, чтобы обозначить поляризацию спинов. [9]

Кристаллическое поле не влияет - на спиновое вырождение терма, так как в е № не входят спиновые тер. [10]

Кристаллическое поле приводит к изменению потенциальной энергии d - электронов. [12]

Большое кристаллическое поле, создаваемое CN, СО и другими лигандами, образующими я-связи, можно объяснить таким же путем. [13]

Часто кристаллическое поле имеет аксиальную симметрию. [14]

Если кристаллическое поле значительно отклоняется от октаэдрической или тетраэдрической симметрии, как, например, для ионов ванадила, время спин-решеточной релаксации удлиняется и ЭПР можно наблюдать при более высоких температурах. Для Ti ( III) в решетке CsTi ( SO4) 2 - 12Н2О тригональное искажение октаэдрического кристаллического поля мало. Используя величины компонент g - тензора, приведенные в табл. 7, и формулы ( 16), можно оценить величину расщепления б основного состояния под действием тригонального искажения кристаллического поля. Можно предположить, что различие в величинах б обусловлено ковалентностью связей, что приводит к уменьшению вкладов орбитального углового момента в g - фактор. Такая малая величина расщепления объясняет, почему в данном случае ЭПР можно наблюдать только при температуре жидкого гелия. [15]

Страницы: 1 2 3 4