Сильное кристаллическое поле

Cтраница 1

Сильное кристаллическое поле наблюдается у парамагнитных центров, сильно связанных с окружающими ионами, когда химическая связь носит скорее не ионный, а ковалентный характер. Такая связь проявляется в основном при использовании парамагнитных ионов с незастроенными 4d - и 5й - оболочками и изредка для ионов группы железа. Возмущение поля кристаллической решетки в этом случае имеет порядок значения энергии взаимодействия электронов друг с другом. [1]

Случай сильного кристаллического поля ( случай 3) типичен для ионов с конфигурацией 3d, которые образуют ковалентную связь с диамагнитными лигандами. [2]

Приближение сильного кристаллического поля, использующее одноэлектронные состояния, было описано в § 3 гл. [3]

В сильных кристаллических полях дублет S 1 / 2 состояния 2Е имеет низшую энергию. [4]

Анион CN - создает сильное кристаллическое поле вокруг ком-плексообразователя и поэтому цианометаллатные комплексы являются низкоспиновыми и диамагнитными. Связан этот лиганд с ком-плексообразователем через атом углерода Q. [5]

Диаграмма энергетических уровней системы. [6]

Подход, основанный на применении приближения сильного кристаллического поля, позволяет очень наглядно интерпретировать состояния комплексного иона, поскольку диаграмму, изображенную на рис. 10.5, удается использовать и для многоэлектронной системы. В таком случае при качественном рассмотрении следует применять еще правило Гунда о максимальной мультиплетности основного состояния атомных систем. [7]

Обычно рассматривают три случая: случаи слабого и сильного кристаллического поля и случай промежуточного поля. [8]

К каким значениям длин волн смещается максимум поглощения при переходе к лигандам, образующим более сильное кристаллическое поле. [9]

Однако Канциг и др. пришли к выводу, что система уровней данной частицы является обращенной вследствие действия сильного кристаллического поля, обусловленного тройной вакансией с эффективным отрицательным зарядом. Постулируемая структура соответствует нахождению неспаренного электрона на агорбитали, расположенной в плоскости радикала. [10]

Из двух различных по природе лигандов, находящихся на лабилизованной оси, в первую очередь аквотируется лиганд с более сильным кристаллическим полем. [11]

Мы перейдем теперь к основанному на рассмотрении антисвязывающих орбиталей описанию поведения центрального иона в магнитном поле, приня тем самым приближение сильного кристаллического поля. [12]

До этого необходимо выяснить, какой из перечисленных выше случаев имеет место; не рассматривая всех, ограничимся указанием на основные эффекты для сильного кристаллического поля. [13]

Сравнительно редко встречающиеся отклонения от этой последовательности, которую иногда называют рядом Ирвинга - Вильям-са, почти всегда удается объяснить спариванием электронов в сильном кристаллическом поле. Естественно, что спаривание электронов оказывает влияние на энергию системы электронов. Указанный выше порядок изменения констант устойчивости находит объяснение в рамках представлений о стабилизации в поле лигандов. Прежде всего необходимо отметить, что величина константы устойчивости пропорциональна антилогарифму значения стандартной свободной энергии реакции, так что указанному порядку должны следовать также значения - AF реакций образования комплексов. [14]

Оптические спектры ряда трехвалентных ионов в корунде з) были изучены Мак-Клуром [10] в области температур от 4 2 до 1200 К и интерпретированы на основе теории сильного кристаллического поля или одноэлектронного приближения. Значения параметров кубического и тригонального полей приведены в табл. 7.4. В соответствии с обозначениями фиг. Последние уровни энергии смещаются еще триго-нальным полем, описываемым оператором B O t так что в обозначениях фиг. [15]

Страницы: 1 2 3