Добавочное поле
Cтраница 2
По этой причине поле Н складывается из двух слагаемых: поля Н, бывшего до внесения магнетика, и добавочного поля Н, создаваемого источниками р п и ат. [16]
Поляризованные молекулы - диполи создают свое электрическое поле, направление которого противоположно направлению основного ( внешнего) поля; поэтому добавочное поле, складываясь с основным, ослабляет его. Чем сильнее поляризуется диэлектрик, тем слабее получается результирующее поле, тем меньше становится его напряженность в каждой точке при тех же зарядах, создающих основное поле, а следовательно, согласно ( 1 - 5) диэлектрическая проницаемость е такого диэлектрика больше. [17]
Поляризованные молекулы - диполи создают свое электрическое поле, направление которого противоположно направлению основного ( внешнего) поля; поэтому добавочное поле, складываясь с основным, ослабляет его. Чем сильнее поляризуется диэлектрик, тем слабее получается результирующее поле, тем меньше становится его напряженность в каждой точке при тех же зарядах, создающих основное поле, а следовательно, согласно ( 1 - 5) диэлектрическая проницаемость Е такого диэлектрика больше. [18]
Помимо вкладов, учтенных в этой формуле, необходимо принять во внимание так называемое реактивное поле, связанное с действием полярной молекулы на самое себя через посредство окружающей среды: дипольная молекула в центре сферы поляризует окружающие молекулы и в результате возникает добавочное поле, действующее на центральную молекулу. [19]
Как видно, заряды Q и - Q расположены по обе стороны от MN на одной прямой линии, перпендикулярной MN, и на расстоянии d от MN. Добавочное поле, появившееся в результате замены пластины MN зарядом - Q, изображено на рис. а пунктиром. [20]
Очевидно, что каждое из тел, помещаемых к соленоид, под влиянием магнитного поля Н соленоида приходит в особое состояние, характеризующееся тем, что введенное тело создает в себе и вокруг себя еще свое собственное новое магнитное ноле, геометрически складывающееся ( налагающееся) с внешним полем соленоида. Это добавочное поле обусловливается некоторыми изменениями, происходящими в молекулах и атомах тела во всей массе его, а не только на его поверхности. [21]
Однако при наличии в поле куска диэлектрика на первичное поле, вызванное свободными зарядами, налагается еще добавочное поле связанных зарядов. Это добавочное поле отлично от нуля как в самом диэлектрике, так, вообще говоря, и вне его. [22]
 |
Схема метода определения ионизационных потенциалов. [23] |
Рассмотрим теперь случай, когда электроны, сталкиваясь с атомами в пространстве между сетками ВВ и DD, вызывают лишь их возбуждение. Если направление добавочного поля между сеткой DD и электродом СС такое же, как и между сетками ВВ и DD ( при этом направлении поля положительные ионы ускоряются по направлению к СС), то электроны будут отброшены от электрода СС, и он приобретет положительный заряд. Если же направление этого добавочного поля взять обратное, то фотоэлектроны, вырванные из СС, упадут на него обратно, также на него попадут электроны с сетки DD, и он приобретет отрицательный заряд. Таким образам, меняя направление добавочного поля, можно различить случай ионизации от случая возбуждения атомов. [24]
Индуцируемые заряды создают свое поле, которое, накла-дываясь на поле, бывшее до внесения проводника, обращает суммарное поле в объеме А в нуль. Ясно, что добавочное поле изменяет ( искажает) поле и вне проводника А. [25]
Так как вакуум является однородной и изотропной средой, то Но сопз. Однако в магнитных средах необходимо учесть то добавочное поле, которое создается движениями зарядов, входящих в состав атомов и молекул данной среды. [26]
 |
Отсутствие точной корреляции колебательных энергетических уровней при обмене протоном между состояниями А и В. [27] |
При наложении магнитного поля в 10 000 гаусс разница в энергиях hv уровней протонов с противоположными спинами соответствует резонансной частоте, примерно равной 40 - 10 сек. Точная величина резонансной частоты несколько различается в местах расположения частиц А и В, поскольку эффективная величина магнитного поля в этих местах связана не только с постоянным внешним полем, но с небольшими специфическими добавочными полями, образующимися вокруг микроскопических частиц. [28]
А отрицательный заряд - Q, по величине равный заряду Q. Как видно, заряды Q и - Q расположены по обе стороны от MN на одной прямой линии, перпендикулярной к MN, и на расстоянии d от MN. Добавочное поле, появившееся в результате замены пластины MN зарядом - Q, изображено на рис. А пунктиром. [29]
Рассмотрим теперь случай, когда электроны, сталкиваясь с атомами в пространстве между сетками ВВ и DD, вызывают лишь их возбуждение. Если направление добавочного поля между сеткой DD и электродом СС такое же, как и между сетками ВВ и DD ( при этом направлении поля положительные ионы ускоряются по направлению к СС), то электроны будут отброшены от электрода СС, и он приобретет положительный заряд. Если же направление этого добавочного поля взять обратное, то фотоэлектроны, вырванные из СС, упадут на него обратно, также на него попадут электроны с сетки DD, и он приобретет отрицательный заряд. Таким образам, меняя направление добавочного поля, можно различить случай ионизации от случая возбуждения атомов. [30]
Страницы: 1 2 3 4