Cтраница 4
Процессы, которые способствуют накоплению положительных ионов в анодной области, например усиленная их генерация или замедление их удаления из анодной области полем и диффузией, ведут к появлению отрицательного анодного падения. Наоборот, процессы, понижающие концентрацию положительных ионов в анодной области, приводят к установлению положительного анодного падения. Как показала экспериментально Неретина, это позволяет управлять величиной и знаком анодного падения. При наложении на этот электрод потенциала, положительного относительно плазмы, около него происходит усиленное образование положительных ионов ( путем неупругих соударений), ускоренных добавочным полем электронов, и анодное падение снижается. Отрицательный потенциал на добавочном электроде вызывает, наоборот, уменьшение числа положительных ионов и повышение анодного потенциала. [46]
Магнитный резонанс имеет широкое приложение как метод исследования вещества. Большой интерес имеет обнаружение как электронного резонанса, так и ядерного. Наличие электронов с нескомпенсированными спинами указывает химику на присутствие в веществе так называемых свободных радикалов, позволяет делать выводы о характере химических связей. Однако большое значение имеет следующее обстоятельство. Магнитный резонанс является настолько чувствительным эффектом, что отзывается на добавку поля, создаваемого электронной оболочкой атома, к внешнему полю. Оказалось, что характер этого добавочного поля зависит от свойств химической связи данного атома с остальными. Таким образом, резонансные частоты данного атома слегка варьируют в зависимости от его химической связи. Это явление носит название химического сдвига. [47]
Вместо того, чтобы пытаться определить вектор В по действию на какой-либо макроскопический провод, по которому течет ток, мы можем определить вектор В по силе, действующей на элементарный ток, вызванный движением какой-либо элементарной заряженной частицы. Например, мы можем рассматривать электрон, движущийся в определенном атоме по круговой орбите. Такой движущийся электрон эквивалентен круговому току, и он испытывает действие внешнего магнитного поля. Напряженность поля, определенная с помощью такого элементарного тока, сложится из напряженности Н0, вызванной токами, текущими по макроскопическим проводам, и из напряженности магнитного поля, вызванного соседними молекулами. Обозначим напряженность этого суммарного поля через Нмикро. Значение НМикро получится различное, в зависимости от того, на каком расстоянии от той или другой молекулы мы расположим наш элементарный ток. Но в среднем для многих случайно выбранных точек получится значение Ниикро, которое определится лишь значениями Н0 и того среднего добавочного поля Н, которое существует внутри магнетика в результате упорядочения в ориентации его частиц. [48]