Cтраница 3
Эта постоянная входит в формулу для магнитной индукции, создаваемой током в окружающем пространстве, аналогично тому, как электрическая постоянная SQ входит в известную вам формулу для электрического поля точечного заряда. [31]
Интеграл, стоящий в левой части соотношения (13.16), называется циркуляцией вектора Е - вдоль замкнутого контура L. Итак, циркуляция вектора напряженности электрического поля точечного заряда q - вдоль произвольного замкнутого контура, проведенного в поле, равна нулю. Условие (13.16) является необходимым и достаточным для того, чтобы поле напряженностью Е - было потенциальным. [32]
При количественном обсуждении вопроса применялись уравнения электростатики, выведенные для электрического поля точечных зарядов. Это практически означает, что и ионы трактовались как точечные заряды. Уравнения электростатики, выведенные для точечных зарядов, оказываются пригодными для решения многих научных и технических задач. Их пригодность для решения этих задач обз словлена тем, что электрическое поле конечных тел в окружающем эти тела пространстве часто весьма сходно с полем точечных зарядов. [33]
Оценки служат мощным орудием анализа также тогда, когда нужно разобраться в общих чертах какого-либо явления и увидеть его физический механизм, не заслоненный излишним промежуточным математическим частоколом. Точное соотношение между & и Ь, справедливое при любых прицельных параметрах, может быть получено с помощью строгого теоретического расчета движения заряженной частицы в электрическом поле другого точечного заряда. [34]
Между кристаллическим полем и внутренним электрическим полем парамагнитного атома имеется существенное различие, состоящее в следующем. Источник внутреннего поля - заряд ядра - сконцентрирован в одной точке. Напряженность электрического поля точечного заряда в каком-либа месте, как известно, зависит только от расстояния до этой точки, что описывается законом Кулона. Иначе говоря, это поле сферически симметрично. Напряженность кристаллического поля зависит не только от расстояния, но и от пространственного расположения окружающих частиц. Чаще всего кристаллическое полене имеет центра сферической симметрии. [35]
Если напряженность электрического поля известна в любой точке пространства, то мы можем представить себе поверхность с площадью, равной 1 см2, расположенную перпендикулярно направлению электрического поля в этой точке и пересекаемую некоторым числом линий, проходящих перпендикулярно через эту поверхность. Например, электрическое поле вокруг точечного заряда Q радиально, как показано на фиг. [36]
Поэтому работа по перемещению электрического заряда q вдоль различных линий напряженности при одинаковых расстояниях от заряда начальной и конечной точек пути оказывается одинаковой. При перемещении заряда ql по дугам окружностей работа электрического поля равна нулю, при перемещении вдоль любой линии напряженности работа на одинаковом расстоянии от заряда q одинакова. Следовательно, работа электрического поля точечного заряда при перемещении любого заряда из одной точки поля в другую не зависит от формы пути. Поля, обладающие таким свойством, называются потенциальными полями. [37]
В точке г направление и величина смещения U ( r) определяются знаком и величиной постоянной А, в литературе называемой иногда мощностью дефекта. Решение ( 3 8) расходится в точке г 0, что связано с заменой в данной модели реального дефекта, занимающего конечный объем, точечным источником деформации мощности А. Очевидно, это решение не имеет смысла применять для расстояний, меньших атомного радиуса. Формула ( 3 8) для смещения U U имеет такой же вид, как формула для напряженности электрического поля точечного заряда А в электростатике, причем величина А / г оказывается аналогичной потенциалу этого поля. [38]