Cтраница 1
![]() |
Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения.| Характеристика германиевого диода. [1] |
Электрическое поле перехода имеет такое направление, что всегда захватывает неосновные носители и перебрасывает их в ту область, где. [2]
![]() |
Электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения.| Характеристика германиевого яиода. [3] |
Электрическое поле перехода имеет такое направление, что всегда захватывает неосновные носители и перебрасывает их в ту область где они становятся основными. [4]
При обратном смещении р-п перехода суммарная напряженность электрического поля перехода возрастает, поэтому возрастает заряд двойного электрического слоя и ширина запирающего слоя. [6]
![]() |
Сопоставление диффузионного тока и тока проводимости через переход. [7] |
Эти потоки уравновешены встречными потоками неосновных носителей, дрейфующих в электрическом поле перехода. Уравновешивающий ток является током проводимости. [8]
Точно так же и дырки, попадая из области р в электрическое поле р-п перехода, будут возвращены этим полем обратно в р-область. [9]
При обратном напряжении толщина перехода (2.6) возрастает непропорционально напряжению, в результате напряженность электрического поля перехода увеличивается и в нем преобладает дрейфовое движение носителей по сравнению с диффузионным: дырки в n - области и электроны в р-области вследствие теплового хаотического движения могут пересечь границы перехода, где они попадают в ускоряющее поле, переносящее их в соседнюю область. В результате уменьшаются концентрации неосновных носителей у границ перехода; это явление называют экстракцией неосновных носителей. Выражения (2.7), (2.8) справедливы и для экстракции, при t / 0 из них следует Дпр0, Дрп0, что соответствует уменьшению концентраций неосновных носителей по сравнению с равновесными концентрациями. [10]
Основной поток дырок, идущий через переход эмиттер - база, будет втянут в электрическое поле перехода база-коллектор; под действием напряжения батареи коллектора Ек дырки перейдут в коллектор К и через нагрузочное сопротивление RH потекут к минусу батареи Ек. Чем меньше толщина базы ( составляющая всего несколько микрон), тем большая часть дырок, вышедших из эмиттера, перейдет в коллектор. Обычно 92 - 99 % дырок попадают в коллектор, образуя коллекторный ток / к. Это явление вливания потока основных носителей ( в данном случае дырок) из эмиттера в коллектор через базу называют инъекцией ( инжек-цией), или впрыскиванием. Небольшая часть дырок, попав в зону с - проводимостью ( после перехода из зоны с р-про-водимостью), рекомбинирует со свободными электронами и, следовательно, исчезает. [11]
![]() |
Обратное включение ся к НУЛЮ - Эта зависимость имеет р-п перехода экспоненциальный характер. [12] |
Дрейфовый ток образуется неосновными носителями заряда: электронами из р-области и дырками из я-области, при этом электрическое поле перехода способствует их перемещению в соседнюю область. [13]
Это происходит из-за сокращения средней длины свободного пробега носителей заряда в р-п переходе, что приводит к уменьшению кинетической энергии, приобретаемой неосновными носителями в электрическом поле перехода при том же обратном напряжении, и затрудняет лавинное размножение носителей. [14]
Это происходит из-за сокращения средней длины свободного пробега носителей заряда в р-п переходе, что приводит, к уменьшению кинетической энергии, приобретаемой неосновными носителями в электрическом поле перехода при том же обратном напряжении, и затрудняет лавинное размножение носителей. [15]