Электрическое поле - переход
Cтраница 2
 |
Энергетическая диаграмма для кремния. [16] |
Если внутренний фотоэффект происходит вблизи электронно-дырочного перехода или контакта металл-полупроводник, то возможно появление фотоэлектродвижущей силы, связанной с разделением электронно-дырочных пар, рождаемых светом в электрическом поле р-п перехода или контакта металл-полупроводник. [17]
Неосновные носители, генерируемые в р-и / z - областях на большем расстоянии от границы перехода, вследствие рекомбинации не попадают в обедненную область, где сосредоточено электрическое поле перехода. [18]
Часть дырок - ток ( / 2 / 02 - IP) X ( 1 - аа) - ре-комбинирует в области п2 с электронами, другая часть - ток ( / 2 / G2 - IP) & d - переносится электрическим полем перехода / 3 в область р2 и повышает потенциал области р2 по отношению к области п3, способствуя тем самым инжекции электронов из последней. Таким образом, возникают условия для переключения р - ПгртПъ структуры в проводящее состояние. [19]
Фотоносители диффундируют в глубь n - области. Электроны и дырки разделяются электрическим полем р-п перехода напряженностью Е0, при этом дырки переходят в р-область, а электроны не могут преодолеть поле перехода и скапливаются у границы р-п перехода в n - области. [20]
Полный ток через переход равен разности диффузионного и теплового токов, поскольку они направлены в разные стороны. Тепловой ток образуется неосновными носителями заряда, при этом электрическое поле перехода способствует их перемещению в соседнюю область. Практически все неосновные носители, подходящие к р-п-переходу, перемещаются в соседнюю область. Поэтому тепловой ток зависит от концентрации неосновных носителей в п - и р-области и не зависит от напряжения, приложенного к р-п-переходу. [21]
Семейство тиристоров непрерывно пополняется, совершенствуется также технология их изготовления. Полупроводниковая структура, принцип действия которой основан на индуцировании электрического поля обратносмещен-ного перехода, которое подобно полю сетки электровакуумной лампы управляет анодным током, получила название индукционного тиристора. Получается - тиристор с нерегенеративным механизмом отпирания. [22]
УЭ ( см рис. 216, 6 и д) от источника напряжения Е потенциал, положительный относительно катода К. Снижается потенциальной барьер перехода /, гак как часть инжектированных электронов перебрасывается электрическим полем перехода 2 в область л2, увеличиваются встречная инжекция дырок и ток тиристора. При некотором токе / у сумма коэффициентов а /, и и /, увеличивается настолько, что а /; а / 2 1, и тиристор открывается. [23]
Электроны, не обладающие энергией, достаточной для преодоления потенциального барьера эмиттерного перехода, проникают на некоторое расстояние внутрь перехода и могут быть захвачены там ловушками. Такие захваченные электроны затем или рекомбинируют с оказавшейся вблизи дыркой, или, освободившись из ловушки, уносятся электрическим полем перехода в область эмиттера. По мере снижения уровня инжекции вероятность первого процесса ( рекомбинации) уменьшается, а второго ( возвращения в эмиттер) - растет, что приводит к увеличению связанных с этим процессов шумов. С другой стороны, при снижении рабочего тока, а значит, и его дробового шума, растет относительная роль шума, обусловленного захватом и последующим освобождением электронов. [24]
Пассивные потери поглощения возрастают с увеличением длины волны в спектре излучения. При КЖтр коэффициент поглощения полупроводника резко снижается ( см. рис. 7.2), электронно-дырочные пары не генерируются, солнечное излучение поглощается в глубине р-области кристалла вне действия электрического поля перехода и преобразуется в тепловую энергию. В том и другом случае процесс генерации неравновесных носителей в преобразователе имеет свои особенности. [25]
 |
Схемы включения диода в фотодиодном ( а и фотовентильном ( б режимах. [26] |
Основным элементом фотодиода ( ФД) является р - я-переход. При освещении его происходит генерация электронно-дырочных пар ( см. гл. Электрическое поле перехода разделяет неравновесные носители заряда. Ток, образованный этими носителями, совпадает по направлению с обратным током р - n - перехода. [27]
Для этого замыкают контакт Sy ( рис. 42, г) и подают на управляющий электрод У положительный потенциал напряжения управления Uy от вспомогательного источника питания. Электрическое поле перехода П2 перебрасывает часть электронов из слоя РЧ ( поступивших в слой Р2 из слоя NZ) в слой N. Одновременно увеличивается встречное перемещение дырок из слоя N ] в слой Я2 - Через переход П2 кроме тока утечки / ко будет протекать ток неосновных носителей. Сила последнего зависит от силы тока управления. [28]
Рассмотрим идеализированный p - rt - переход, облучаемый монохроматическим световым потоком с энергией фотонов, превышающей ширину запрещенной зоны полупроводников. При собственном поглощении в переходе и прилегающих к нему областях оптически генерируются избыточные носители - электроны и дырки. Электрическое поле перехода перемещает дырки в р-область, электроны - в n - область, разделяя тем самым генерируемые носители. [29]
 |
Зависимость интегральной. [30] |
Страницы: 1 2 3 4