Достаточно сильное электрическое поле
Cтраница 2
Такая неустойчивость может возникнуть в достаточно сильном электрическом поле. [16]
 |
Нормальная ( а и аномальная ( б ориентировка НЖК с Дв 0 в электрическом поле. Цифры 1 - 6 у кривых означают величину магнитного поля, Н Е ( а и Н J Е ( б, в 103 Гс. [17] |
Видно, что на высоких частотах при достаточно сильном электрическом поле достигается полная ориентировка ( нормальная) по всему образцу. Аномальная ориентировка, как правило, не бывает полной. [18]
Помимо нагревания, проводимость полупроводников может быть вызвана действием достаточно сильного электрического поля и освещением ( фотопроводимость полупроводника, стр. [19]
Но его обнаружению могут, вероятно, помешать очевидные трудности создания достаточно сильного электрического поля на достаточной протяженности раствора. [20]
Mg, Fe2, Ce3, F -), обладающими достаточно сильным электрическим полем, способным ориентировать диполи воды, находящиеся на периферии ( на поверхности) этих ионов, в направлении силовых линий. [21]
Электретиое состояние обычно достигается нагреванием и последующим охлаждением пластин из подходящего вещества в достаточно сильном электрическом поле. Электреты находят разнообразное практическое использование. [22]
Электрстное состояние обычно достигается нагреванием и последующим охлаждением пластин из подходящего вещества в достаточно сильном электрическом поле. Электреты находят разнообразное практическое использование. [23]
 |
Схема устройства вертикального трубчатого электрофильтра. [24] |
Для улавливания необходимо наличие в газе униполярного заряда достаточной величины и наличие в электрофильтре достаточно сильного электрического поля. [25]
Суть последнего заключается в том, что уже само введение маленькой пластинки соответствующего полупроводника в достаточно сильное электрическое поле приводит к генерации высокочастотного радиоизлучения. [26]
 |
Положение уровня Ферми для возможных предельных значений удельного сопротивления крайних частей базы для триода р-п - р. [27] |
Основной недостаток транзистора с базой, полученной методом диффузии примесей, состоит в невозможности создать достаточно сильное электрическое поле и достигнуть, следовательно, высокой скорости движения электронов. Чтобы получить максимально возможную величину электрического поля, необходимо, чтобы область базы, прилегающая к эмиттеру, имела очень малое удельное сопротивление, а область базы, прилегающая к коллек-тору - высокое, близкое к собственному напряжению. [28]
Суть последнего заключается в том, что уже само введение маленькой пластинки соответствующего полупроводника в достаточно сильное электрическое поле приводит к генерации высокочастотного радиоизлучения. [29]
Если два параллельно включенных заземляющих электрода расположены так, что каждый из них находится в достаточно сильном электрическом поле другого ( фиг. [30]
Страницы: 1 2 3 4