Достаточно сильное электрическое поле

Cтраница 3

Может возникнуть вопрос о применимости приближения эффективной массы для электрона, волновая функция которого в достаточно сильном электрическом поле в направлении, перпендикулярном поверхности, затухает на расстоянии порядка нескольких межатомных. Этот вопрос, обсуждавшийся в работах [1594, 1595], возникает при рассмотрении долинного расщепления ( см. § 1 гл. Проверка с более высокой точностью невозможна, так как требует дополнительных данных о структуре границы раздела. Предполагается, однако, что использование приближения эффективной массы в меньшей степени ограничивает точность приводимых расчетов по сравнению с ненадежностью оценок многочастичных эффектов и недостатком информации о физических параметрах системы. [31]

Зависимость детерминанта устойчивости кварца от температуры t C. В точке а - ( 3 перехода ( / 573 С детерминант проходит через резко выраженный минимум. [32]

Система в критической точке будет иметь одну степень свободы, то есть мы можем, включив достаточно сильное электрическое поле, сместить критическую точку. [33]

В сравнительно слабых электрических полях объемная проводимость твердых диэлектриков не зависит от напряженности электрического поля и соблюдается закон Ома, В достаточно сильных электрических полях проводимость начинает сильно увеличиваться с ростом напряженности. [34]

Однако опыт показывает, что электроны способны покидать металл даже без освещения светом высокой частоты или нагрева, если к металлу приложить достаточно сильное электрическое поле. [35]

Энергия валентным электронам атомов кристалла может быть сообщена через: а) тешщвые кванты ( фононы), излучаемые при тепловых колебаниях решетки - б) цветовые кванты - ( фотоны) - в) кванты или потоки атомарных частиц и г) путем воздействия на вещество достаточно сильным электрическим полем. [36]

В сравнительно слабых электрических полях объемная проводимость твердых диэлектриков не зависит от напряженности электрического поля и соблюдается закон Ома. В достаточно сильных электрических полях проводимость начинает сильно увеличиваться с ростом напряженности. Согласно формуле Я - И. [37]

Петля гистерезиса аытисегнетоэлектрика. [38]

Спонтанная поляризованность антисегнетоэлектриков равна нулю, но они, как и сегнетоэлектрики, имеют точку Кюри, выше которой исчезает упорядоченность диполыюй структуры и при которой наблюдается максимум диэлектрической проницаемости и аномалии других характеристик. При наложении достаточно сильного электрического поля антисегнетоэлектрик может переходить в сегнетоэлектрическое состояние с параллельной ориентацией диполей. [39]

Однако если газ находится в достаточно сильном электрическом поле, то в нем может возникнуть электрический разряд например в виде искры - искровой разряд. Этой энергии оказывается достаточно для того, чтобы вызвать ионизацию. [40]

Переходы на более высокие энергетические уровни могут происходить под действием тепловой, световой или электрической энергии. Поэтому удельное сопротивление полупроводников уменьшается при освещении и под действием достаточно сильного электрического поля. [41]

При низких температурах ( порядка единиц - десятков градусов Кельвина), когда тепловые колебания не оказывают существенного сопротивления движению электронов, в полупроводниках наблюдается другой механизм рассеяния носителей, а именно на ионизованных примесях. В отличие от нейтральных примесных центров примесные ионы создают вокруг себя достаточно сильное электрическое поле, искривляющее траектории движения электронов. Задача о таком виде рассеяния аналогична задаче о рассеянии а-частиц на атомах решетки, решенной Резерфордом. Так как при понижении температуры скорость движения электронов уменьшается, время, проводимое им в окрестностях примесного иона, возрастает и соответственно усиливается рассеяние и уменьшается подвижность. [42]

Во многих лабораторных экспериментах отрицательно заряженные частицы могут левитировать только в областях достаточно сильного электрического поля, где сила тяжести может быть скомпенсирована электростатической силой. Это относится и к прикатодному слою разряда постоянного тока. Электрическое поле в этих областях растет практически линейно по направлению к электроду [197] до достаточно большого значения на его поверхности. Обычно заряд сначала несколько уменьшается ( увеличивается по абсолютной величине), достигает минимума, а затем увеличивается и даже может становиться положительным в непосредственной близости от электрода. Пример численного расчета зависимости поверхностного потенциала на частице от расстояния до электрода при некоторых параметрах плазмы можно найти в работе [106] для бесстолкновительных и столкновительных приэлектродных слоев в ВЧ разряде и разряде постоянного тока. Для не слишком тяжелых частиц обычно существует устойчивое положение равновесия частицы в приэлектродном слое. [43]

В тот момент, когда Е достигает значения Ек, концентрация зарядов ( п) у некоторых полупроводников перестает быть постоянной величиной и начинает возрастать с дальнейшим возрастанием электрического поля. Возрастание п приводит к уменьшению удельного сопротивления полупроводника ( Q) и при достаточно сильных электрических полях Q может уменьшиться в несколько раз. [44]

Известны также попытки оценить влияние электрических сил на соударение капель на основании опытов на моделях. Сартор [494] в результате исследований движения капель дистиллированной воды, падающих в минеральном масле, пришел к выводу, что при достаточно сильных электрических полях ( 2 - Ю4 В / м) коэффициент эффективности соударения превышает единицу. [45]

Страницы: 1 2 3 4