Слабое электрическое поле

Cтраница 1

Температурная зависимость показателей преломления параазоксианизола в направлении параллельном ( га0 и перпендикулярном ( пе молекулярным осям. [1]

Слабое электрическое поле, приложенное к жидкому кристаллу, вызывает выстраивание молекул осями с высокой е параллельно полю. Однако, если напряжение превысит некоторое пороговое значение, устойчивая доменная структура разрушается, возникает ячеистая структура, сопровождающаяся появлением гидродинамических течений. При дальнейшем увеличении напряжения течение в жидкости становится турбулентным, а вещество оптически неоднородным. Жидкий кристалл в таком неупорядоченном состоянии рассеивает свет во всех направлениях. Эффект динамического рассеяния приводит к изменению прозрачности жидкого кристалла под действием электрического поля. Время установления состояния динамического рассеяния составляет 1 ч - 10 мс, а исчезновения после снятия напряжения - 20 - 200 мс. Быстродействие индивидуальных жидкокристаллических соединений выше, чем смесей; оно повышается с увеличением напряжения. [2]

Даже очень слабое электрическое поле радикальным образом изменяет движение частиц низких энергий в геомагнитном поле. [3]

В слабых электрических полях электроны имеют малую энергию и занимают состояния вблизи дна зоны проводимости, соответствующие первому минимуму зависимости энергии от импульса. Они имеют малую эффективную массу, большую подвижность, а дрейфовая скорость оказывается существенно выше, чем в германии и кремнии. С ростом напряженности поля энергия электронов увеличивается и они начинают переходить в состояние с большой эффективной массой и малой подвижностью, соответствующее второму минимуму энергии в зоне проводимости. Поэтому дрейфовая скорость уменьшается. При дальнейшем возрастании напряженности она стремится к скорости насыщения, приближаясь к ней сверху, а не снизу. [4]

В слабом электрическом поле большая часть ионов и электронов рекомбинирует друг с другом. [5]

Свечение на поверхности диода из. [6]

В слабом электрическом поле распределение избыточной концентрации неосновных носителей заряда определяется диффузией, в сильном - дрейфом. [7]

В слабых электрических полях при Е, близком к нулю, п2 очень мало, им можно пренебречь, так как явно преобладающей является не направленная составляющая движения свободных зарядов, а хаотическая. [8]

В слабых электрических полях ток утечки настолько мал, что им практически можно пренебречь. [9]

В слабых электрических полях при обычных условиях ток утечки настолько мал, что им практически можно пренебречь. Из сказанного выше следует, что электропроводность газов имеет смешанный характер - ионный и электронный. [11]

В слабых электрических полях ( при малом Е) я2 очень мало, им можно пренебречь, так как явно преобладающей является не направленная составляющая движения свободных зарядов, а хаотическая. [12]

В слабом электрическом поле ионы движутся подобно падающим в воздухе частичкам пыли. Поле силы тяжести ускоряет частички пыли, но молекулы воздуха при каждом соударении отбирают часть приобретенной кинетической энергии. В среднем частичка теряет все, что приобретает за период между двумя соударениями, и кажется, будто она падает с постоянной скоростью, а ее вес компенсируется трением о воздух. С микроскопической точки зрения ее движение представляет собой целый ряд падений с ускорением, замедляемых соударениями. Если такая частичка обладает электрическим зарядом, ее можно тянуть электрическим полем. [13]

Туннели-ровакие электронов из валентной зоны в зону проводимости при сильном электрическом поле в полупроводнике. [14]

В слабых электрических полях носители заряда на длине свободного пробега приобретают относительно малую энергию, Поэтому их распределение по энергетическим уровням соответствует распределению при данной температуре кристаллической решетки. [15]

Страницы: 1 2 3 4