Cтраница 3
![]() |
Структура зоны проводимости, в которой может возникнуть эффект Ганна.| Зависимость дрейфовой скорости ( тока от электрического поля в эффекте Ганна. [31] |
Каким образом слабое электрическое поле изменяет скорость электронов в кристалле. [32]
В случае слабого электрического поля функция распределения электронов не зависит от его величины. [33]
Противоположное влияние слабого электрического поля иона и тенденции к образованию водородных связей в объеме воды приводят к нарушению ориентации молекул воды в промежуточном слое. Сведения о строении слоев А и В уже были изложены в разд. В дают времена корреляции молекулярного движения ( разд. [35]
При наличии относительно слабого электрического поля положение осложняется электрическими силами притяжения, возникающими между соседними звеньями образующейся цепочки капель до ее распада и препятствующими распаду. [36]
![]() |
Зависимость. / пр воздуха ( 1 и водорода ( 2 от произведения давления р на расстояние между электродами d. [37] |
Газы в слабых электрических полях и при не очень высоких температурах обладают весьма малой удельной проводимостью. При этих условиях весьма немногочисленные свободные носители заряда - электроны и ионы - образуются лишь под действием внешних ионизаторов невысокой интенсивности - космических лучей и естественного ионизирующего излучения. Термоионизация воздуха нарастает, начиная с температуры 8000 К. Процесс термоионизации играет определяющую роль в хорошо проводящем ток канале электрической дуги, температура которого составляет 4000 - 15000 К. [38]
В приложенном извне слабом электрическом поле Е область повышенной электропроводности перемещается с некоторой скоростью v и через промежуток времени t достигает другого электрода С, находящегося на расстоянии L от острия. С этого момента измеряемая на длине L электропроводность снова возвращается к первоначальному значению. [39]
Поэтому даже в слабых электрических полях такой диэлектрик обладает высокой диэлектрической проницаемостью е, достигающей нескольких тысяч. [40]
Дипольный момент в слабых электрических полях пропорционален напряженности поля. [41]
Поэтому даже в слабых электрических полях сегнето-электрики обладают высокой диэлектрической проницаемостью. [42]
Поэтому Даже в слабых электрических полях сегнетоэлектрики обладают высокой диэлектрической проницаемостью. [43]
Электропроводность электролитов в слабых электрических полях не зависит от напряженности поля. Это связано с тем, что при высоких скоростях движения ионов ионная атмосфера не образуется и эффекты замедления отсутствуют. [44]
Образующееся в зоне ионизации слабое электрическое поле, во-первых, разгоняет ионы до небольших скоростей, в результате чего ионы, не успевая достигнуть электродов, рекомбинируют, не создавая, таким образом, значительного тока в цепи детектора; во-вторых, электроны также не получают за счет поля необходимую энергию для образования метастабильных атомов аргона. С этой же целью в электронно-захватном детекторе в газ-носитель добавляется 5 - 10 % метана, который снижает скорость электронов, тем самым повышается чувствительность детектора, так как медленные электроны более интенсивно захватываются молекулами анализируемого вещества. [45]