Контактное электрическое поле

Cтраница 1

Контактное электрическое поле на переходе Шотки сосредоточено практически только в полупроводнике, так как концентрация носителей заряда в металле значительно больше концентрации носителей заряда в полупроводнике. Перераспределение электронов в металле происходит в очень тонком слое, сравнимом с межатомным расстоянием. [1]

Знак - показывает, что контактное электрическое поле направлено навстречу внешнему тормозящему. Следовательно, при U О контактное поле сонаправлено внешнему, значит анод выполнен из металла, работа выхода которого меньше, чем у вольфрама. [2]

Равновесное состояние р-л-перехода. [3]

Неподвижные объемные заряды создают в р-л-переходе контактное электрическое поле с разностью потенциалов VK, локализованное в области перехода и практически не выходящее за его пределы. Поэтому вне этого слоя, где поля нет, свободные носители заряда движутся по-прежнему хаотично и число носителей, ежесекундно наталкивающихся на слой объемного заряда, зависит только от их концентрации и скорости теплового движения. [4]

Переход р-п с приложенным в прямом направлении внешним напряжением. [5]

В отсутствие тока через р-п переход потоки частиц, обусловленные контактным электрическим полем и диффузией, равны друг другу. [6]

Вычислим ( по порядку величины) избыточный объемный заряд, создающий контактное электрическое поле. [7]

Таким образом, при n jnz в пограничной области между металлами возникает контактное электрическое поле ДЕ, которое препятствует выравниванию плотностей электронного газа в металлах. Внутри этой области плотность электронного газа должна изменяться от ла в одном металле, до п2 - в другом. [8]

Распределение токов в, транзисторе типа р-п - р. [9]

Напряжение источника Е & включено по отношению к первому ( левому) p - n - переходу в п р я м о м направлении, так что действие внутреннего контактного электрического поля оказывается ослабленным. [10]

Вследствие того, что глубина проникновения поля согласно уравнению (5.14) будет зависеть от концентрации электронов в металле и полупроводнике, которые могут сильно различаться ( в общем случае пи пп), то возникшее контактное электрическое поле практически проникает только в глубь полупроводника. [11]

Контактное электрическое поле на переходе Шотки сосредоточено практически только в полупроводнике, так как концентрация носителей заряда в металле значительно больше, чем в полупроводнике. [12]

Эта контактная разность потенциалов остается неизменной независимо от того, соприкасаются ли металлы непосредственно или через произвольное количество других проводников. Силовые линии контактного электрического поля направлены во внешнем пространстве от свободного конца металла, обладающего меньшей работой выхода, к свободному концу металла, обладающего большей работой выхода. [13]

Совсем иное имеет место в рассматриваемой нами системе, состоящей из р - и - полупроводников. Контакт р - и - полупроводников приводит к образованию между ними контактного электрического поля. И если работа выхода дырочного полупроводника больше работы выхода электронного, что обязательно всегда бывает для двух полупроводников одного и того же химического состава, то это контактное электрическое поле направлено от электронного полупроводника к дырочному. [14]

Тепловая схема СЭС с параболоцилин.| Тепловая схема СЭС с параболоцилин.| Основные процессы в / - п-переходе. [15]

Страницы: 1 2 3