Контактное электрическое поле
Cтраница 3
Весьма вероятно, что описанное выше явление формовки селеновых выпрямителей тесно связано с перемещением ионов в запорном слое. Процесс перемещения ионов заканчивается, когда не только движение электронов и дырок в электрическом поле компенсируется их диффузией, но когда такая же компенсация достигается и для ионов в запорном слое. Вероятно далее, что формирование запорного слоя не заканчивается установлением равновесия для электронов, дырок и ионов. В толще полупроводника при этом имеется еще значительная концентрация нейтральных атомов примеси, тогда как в запорном слое они превращены в ионы и частично выведены из слоя контактным электрическим полем. Выравнивание концентрации примеси между толщей полупроводника и запорным слоем - процесс еще более медленный, чем движение ионов в запорном слое. Возможно, что в основе процессов так называемого старения выпрямителей, тянущихся месяцы и годы, лежит диффузия примесей. Однако это явление не было еще подвергнуто ни теоретическому расчету, ни опытному исследованию. [31]
Весьма вероятно, что описанное выше явление формовки селеновых выпрямителей тесно связано с перемещением ионов в запорном слое. Процесс перемещения ионов заканчивается, когда не только движение электронов и дырок в электрическом поле компенсируется их диффузией, но когда такая же компенсация достигается для ионов в запорном слое. Вероятно, далее, что формирование запорного слоя не заканчивается установлением равновесия для электронов, дырок и ионов. В толще полупроводника при этом имеется еще значительная концентрация нейтральных атомов примеси, тогда как в запорном слое они превращены в ионы и частично выведены из слоя контактным электрическим полем. [32]
 |
Характеристики фотопроводимости. [33] |
Электроны под действием градиента концентрации диффундируют из п-области в р-область, где они рекомбинируют с дырками. В обратном направлении из материала р-типа в полупроводник n - типа диффундируют дырки, которые рекомбинируют с электронами. В результате такой диффузии образуется двойной электрический слой, обедненный подвижными носителями заряда. Этот слой на границе областей с разным типом проводимости называют слоем пространственного заряда. Он образуется, поскольку в полупроводнике / г-типа остаются положительно заряженные донорные ионы, а в полупроводнике р-типа - отрицательно заряженные акцепторные ионы. Пространственный заряд приводит к появлению контактного электрического поля, которое вызывает ток, направленный противоположно диффузионному. В равновесии эти токи на pn - переходе равны. В этом случае энергия Ферми EF в п - и р-областях одинакова, а общий скачок потенциала в pn - переходе называют контактной разностью потенциала UD. [34]
Страницы: 1 2 3