Возникшее электрическое поле

Cтраница 1

Возникшее электрическое поле вызывает миграцию атомов. Различные катионы металла ( особенно Мп2) внедряются в кристаллическую решетку огнеупорных окислов и ослабляют связи в структуре алюмосиликатов. При этом получаются легкоплавкие соединения, еще более чувствительные к воздействию металла. [1]

Под действием возникшего электрического поля начинается обратный процесс осаждения иолов цинка на пластинке, скорость которого зависит от разности потенциалов раствора и цинка и постепенно возрастает. Говорят: упругость растворения уравновешена разностью потенциалов. [2]

Под действием возникшего электрического поля начинается обратный процесс осаждения ионов цинка на пластинке, скорость которого зависит от разности потенциалов раствора и цинка и постепенно возрастает. [3]

Если теперь к составленному из п-р-областен полупроводнику приложить внешнее напряжение, причем таким образом, чтобы положительный полюс батареи был присоединен к положительной - области, а отрицательный - к отрицательной р-области, то возникшее электрическое поле будет способствовать оттеканию электронов и дырок от запорного слоя. Практически ток через запорный слой прекратится, так как его сопротивление будет очень велико. Такое включение полупроводников называют обратным. [4]

Контакт двух металлов с разными значениями работы выхода - исходное состояние.| Контакт двух. [5]

Эмиссия электронов из твердого тела приводит к появлению в нем положительного заряда. Если твердое тело изолировано, то возникшее электрическое поле будет препятствовать эмиссии и установится состояние термодинамического равновесия, при котором число электронов, переходящих в вакуум, равно числу электронов, возвращающихся обратно в единицу времени. [6]

Стягивание магнитных силовых линий для вспышечных петель. Стягивание является мерой изменения формы линий поля вследствие их сближения во время пересоединения и является процессом, аналогичным диполя-ризации, которая происходит во время пересоединения в геомагнитном хвосте.| Корональное электрическое поле, полученное ( Poletto and Kopp, 1986 для вспышки 29 июля 1973 г. по магнитограммам и наблюдениям На. Сплошная кривая получена из простой двумерной формулы, а пунктирная из трехмерной экстраполяции потенциала поля на поверхности. [7]

Это было проделано в работе ( Poletto and Kopp, 1986), где были получены результаты, показанные на рис. 11.12 для вспышки 29 июля 1973 года, наблюдавшейся космической лабораторией Скайлэб. Через несколько минут после начала вспышки возникшее электрическое поле достигло для этого события максимальной величины около 200 В / м, но затем через несколько часов оно уменьшилось на порядок величины. [8]

При увеличении напряжения, подводимого к обкладкам конденсатора, в диэлектрике конденсатора устанавливается электрическое поле, напряженность которого постепенно нарастает. При этом конденсатор получает от источника некоторое количество энергии, носителем которой является возникшее электрическое поле. [9]

Под действием силы Лоренца электроны отклоняются к боковой поверхности образца, в результате чего на ней Создается избыток отрицательного заряда. Разделение зарядов происходит до тех пор пока сила, действующая на электроны со стороны возникшего электрического поля Q н, направленного от одной боковой поверхности к другой, не скомпенсирует силу Лоренца. Поле S н получило название поля Холла, а само явление возникновения в образце с текущим по нему током поперечного электрического поля под действием магнитного поля было названо эффектом Холла. [10]

Подвижности различных ионов электролита неодинаковы, поэтому при одном и том же градиенте концентрации скорости диффузии катионов и анионов различны. Вследствие этого при независимой диффузии на границе раздела растворов происходит пространственное разделение зарядов и появляется диффузионный потенциал фд. Возникшее электрическое поле выравнивает скорости движения ионов, и электролит диффундирует как одно целое, подобно недиссоциированной молекуле. [11]

Контакт между полупроводниками с одним типом электропроводности ( электронным. [12]

Рассмотрим сначала явления в контакте металл - полупроводник при отсутствии поверхностных состояний. При этом основную роль в контактных явлениях играют работы выхода металла и полупроводника, определяемые как работы, необходимые для переноса электрона с уровня Ферми на бесконечно большое расстояние в вакуум. При сближении возникшее электрическое поле вызывает перераспределение зарядов в металле и полупроводнике. Однако из-за большой концентрации электронов область объемного заряда в металле очень тонка, а падение напряжения на ней невелико. [13]

Сразу же сделаем оговорку о том, что наличие материального контура ( например, проводника) вовсе не обязательно. Поле Ест возникает не в контуре, а в любой точке пространства, в которой имеется переменное В. Проводящий же контур просто позволяет легко обнаруживать возникшее электрическое поле. [14]

Если рассматривать р - га - р-транзистор, через эмиттерный переход П слева направо имеет место диффузия основных носителей - дырок. Справа налево проходит через тот же переход диффузионный ток основных носителей базы - электронов. Одновременно неосновные носители ( дырки в га-слое и электроны в р-слое), ускоряемые возникшим электрическим полем р - га-пере-хода, создают так называемые дрейфовые токи: дырочный, проходящий из слоя га в слой р, и электронный - из слоя р в слой га. Направления дрейфовых токов соответственно противоположны направлениям токов диффузионных. [15]

Страницы: 1 2 3