Возникшее электрическое поле

Cтраница 3

Однако имеется существенное различие в поведении неравновесных носителей в том и другом случае. При освещении полупроводника почти весь свет поглощается обычно в тонком слое у поверхности, где и образуются избыточные носители. В результате концентрация электронов у поверхности повышается и они начинают диффундировать в глубь образца. Если электроны возбуждены с примесных уровней, то первоначально их отрицательный заряд компенсирует положительный заряд ионизированных примесей. Когда часть электронов уйдет в объем, заряд примесей останется нескомпопсированным и приповерхностный слой зарядится положительно, а объем - отрицательно. Возникшее электрическое поле будет притягивать электроны обратно к границе. Поэтому электронное облако не может сместиться на сколько-нибудь значительное расстояние) по отношению к положительному заряду ионов и повышенная концентрация носителей будет только там, где происходит возбуждение, хотя, конечно, каждый электрон может перемещаться по всему кристаллу. [31]

Несимметричный р-п переход ( а, распределение потенциала ( б, распределение концентрации подвижных носителей ( в. [32]

Таким образом, в этом слое р-области появляется отрицательный заряд, в основном определяемый неподвижными ионами акцепторов. Аналогично приконтакт-ный слой n - области, теряющий электроны ( они диффундируют в р-область) и принимающий диффундирующие в него дырки из р-области, которые интенсивно реком-бинируют с электронами, заряжается положительно. Носителями этого заряда являются в основном нескомпенсированные положительные ионы доноров и частично не-рекомбинировавшие дырки. Эти заряды создают электрическое поле, которое является тормозящим для диффундирующих носителей. Образуется потенциальный барьер, препятствующий диффузии основных носителей. Одновременно с этим возникшее электрическое поле создает благоприятные условия для перехода из одной области в другую неосновных носителей. Так, некоторые электроны проводимости, являющиеся в р-области неосновными носителями, совершая тепловое движение, подходят к приконтактному слою, где их захватывает электрическое поле; совершая дрейф под действием сил этого поля, они переходят в л-область. [33]

Несимметричный р-п переход ( а, распределение потенциала ( б, распределение концентрации подвижных носителей ( в. [34]

Таким образом, в этом слое р-области появляется отрицательный заряд, в основном определяемый неподвижными ионами акцепторов. Аналогично приконтакт-ный слой n - области, теряющий электроны ( они диффундируют в р-область) и принимающий диффундирующие в него дырки из р-области, которые интенсивно реком-бинируют с электронами, заряжается положительно. Носителями этого заряда являются в основном нескомпенсированные положительные ионы доноров и частично не-рекомбинировавшие дырки. Эти заряды создают электрическое поле, которое является тормозящим для диффундирующих носителей. Образу, ется потенциальный барьер, препятствующий диффузии основных носителей. Одновременно с этим возникшее электрическое поле создает благоприятные условия для перехода из одной области в другую неосновных носителей. [35]

Устройство простейшего конденсатора ( а, условное обозначение конденсатора на схемах ( б, конденсатор в цепи постоянного тока. ( в. [36]

В электротехнике и радиотехнике широко используются детали, называемые конденсаторами. Простейший конденсатор представляет собой две. Если присоединить конденсатор к источнику постоянного тока ( рис. 2.9 в), то на его пластинах появятся электрические заряды. Образование зарядов объясняется следующим. Вследствие этого на ней образуется недостаток электронов, и она оказывается положительно заряженной. Положительный заряд пластины а благодаря возникшему электрическому полю притягивает к себе электроны с минуса источника тока. Но электроны через диэлектрик пройти не могут и скапливаются на пластине б, образуя на ней отрицательный заряд. Прохождение электронов по цепи прекращается, когда напряжение между пластинами конденсатора становится равным напряжению источника тока, причем чем выше напряжение источника тока, тем больший заряд образуется на пластинах. Если заряженный конденсатор отключить от источника трка, то заряды на его пластинах со - храняются. [37]

Движение поверхности капли ртути и окружающей жидкости при неравномерной поляризации. а-при положительно заряженной поверхности. б-при отрицательно заряженной поверхности. [38]

Указанное торможение объясняется тем, что когда поверхность находится в движении, то в одних ее точках происходит растяжение, а в других сжатие. Если на поверхности имеются адсорбированные ионы или молекулы, то растяжение и сжатие приводит к перераспределению поверхностной концентрации и, следовательно, на основании уравнения ( 1 7) - к изменению пограничного натяжения. Вследствие этого возникает сила, противодействующая движению. Конечный результат зависит от того, с какими скоростями происходят изменение поверхностной концентрации и ее выравнивание. В случае наличия электрических зарядов ( положительных или отрицательных) на поверхности движение сносит их в определенном направлении. Такой конвективный перенос зарядов двойного слоя приводит к накоплению в определенной части капли избыточных зарядов в его обкладках, благодаря чему возникает электрическое поле, которое согласно уравнению ( 1 7) должно перемещать ионы обратно вдоль поверхности капли. Избыточный заряд и возникшее электрическое поле могут выровняться объемными токами, проходящими через раствор. При этом возможны два предельных случая. [39]

Страницы: 1 2 3