Тангенциальное поле

Cтраница 2

Если известны точно одна составляющая скорости и траектория пятна при данном распределении поля, то могут быть легко олределены в каждой точке траектории вторая составляющая и полная скорость движения. Поэтому при рассмотрении вопроса о скорости движения пятна можно ограничиться простейшим случаем его движения в однородном тангенциальном поле, при котором скорость описывается целиком одной лишь составляющей, нормальной к силовым линиям магнитного поля. Этот случай соответствует обратному типу движения в его чистом виде. [16]

При вычислении внешнего электрического поля и поля на поверхности совершенного проводника предполагается, что ток по проводу распределен по синусоидальному закону. Вычисленное в этом предположении тангенциальное поле на поверхности проводника оказывается конечным, отличным от нуля, хотя наличие проводника требует, чтобы оно равнялось нулю. В таком случае тангенциальное поле на поверхности проводника должно быть полностью скомпенсировано равным и противоположно направленным полем, приложенным извне. Это означает, что синусоидальное распределение тока вдоль цилиндрического проводника может установиться только при внешних эдс, распределенных известным образом по длине провода. На самом деле ьнешняя электродвижущая сила является сосредоточенной, приложенной обычно к узкому зазору ( разрыву) поверхности провода, либо возбуждаемой на ограниченном участке цилиндрической поверхности провода. [17]

Это объясняется тем, что, поскольку он выбирается полупроводящим, потенциал его поверхности, обращенной к ионизаторам, равен потенциалу индукторов. Между индукторными пластинами, начиная с определенного расстояния от этих пластин, ток проводимости статора создает равномерное тангенциальное поле Et по закону Ома. Удельное сопротивление материала статора должно быть порядка 1010 - 101 ом. Наиболее подходящим материалом для статора является обычное стекло. [18]

Бубнова - Галеркпна удовлетворяются уравнения. Такой подход называют методом, пли процессом Трефтца. Введенную выше систему решений уравнений Максвелла Е, Н будем называть базисом Трефтца, если Е п Н пригодны для разложения произвольного тангенциального поля на той поверхности, где требуется удовлетворить граничным условиям. [19]

Градиент поляризационного потенциала концентрация и потенциал ( меньший нуля уменьшают-ся справа налево ]. [20]

Наряду с дальнодействующим при поляризации ДЭС возникает и короткодействующее поляризационное поле, тесно связанное с диффузионным слоем. Таким образом, вдоль квазиравновесного ДЭС потенциал г) 1 изменяется под влиянием диффузионного слоя и, следовательно, в нем, помимо компоненты поля, нормальной к поверхности, возникает тангенциальная составляющая поля. Тангенциальное поле, в соответствии с правилами электростатики, направлено в сторону убывания потенциала вдоль поверхности, как видно из рис. XIII. Это поле локализовано в пределах ДЭС, так как оно пропорционально тангенциальной составляющей градиента потенциала г з ( л:), убывающего по экспоненциальному закону. Поэтому его следует именовать короткодействующим поляризационным полем, в отличие от поля, порождаемого ИДМ. [21]

Градиент поляризационного потенциала концентрация и потенциал ( меньший нуля уменьшаются справа налево. [22]

Наряду с дальнодействующим при поляризации ДЭС возникает и короткодействующее поляризационное поле, тесно связанное с диффузионным слоем. Таким образом, вдоль квазиравновесного ДЭС потенциал i) i изменяется под влиянием диффузионного слоя и, следовательно, в нем, помимо компоненты поля, нормальной к поверхности, возникает тангенциальная составляющая поля. Тангенциальное поле, в соответствии с правилами электростатики, направлено в сторону убывания потенциала вдоль поверхности, как видно из рис. XIII. Это поле локализовано в пределах ДЭС, так как оно пропорционально тангенциальной составляющей градиента потенциала ( х), убывающего по экспоненциальному закону. Поэтому его следует именовать короткодействующим поляризационным полем, в отличие от поля, порождаемого ИДМ. [23]

Страницы: 1 2