Собственное поле

Cтраница 3

Если в § 12 мы рассматривали исключительно собственное поле постоянных магнитов, то теперь мы займемся поведением произвольных тел во внешнем магнитном поле независимо от того, создано ли оно постоянными магнитами или электромагнитами. Действующие здесь законы в значительной степени аналогичны законам электростатики; при этом соответствующими друг другу величинами оказываются Н и Е, с одной стороны, и В и D - с другой, в противоположность разделению этих векторов на количественные и силовые величины, принятому в нашей классификации. [31]

Скручивание не оказывает влияния на распределение собственного поля, так как при этом не изменяется магнитный поток собственного поля между наружными и внутренними волокнами. Разумеется, в нормальной матрице индуцированные токи перетекания постепенно затухают, однако характерное время затухания очень велико. Процесс затухания токов описывается уравнением диффузионного типа. Заметим, что для провода длиной / характерное время т затухания токов составляет т 10 / 2 / я2р, где р - удельное сопротивление матрицы. Например, для провода длиной / 1 км и медной матрицы с удельным сопротивлением р 3 - 10 - 10 Ом - м время затухания индуцированных токов составляет т 4 - 108 с, или 13 лет. Таким образом, все эффекты, обусловленные собственным магнитным полем, совершенно не зависят от того, скручен провод или нет, состоит он из одного или многих сверхпроводящих волокон. [32]

Здесь вектор / о магнитного момента собственного поля спутника расположен произвольно относительно спутника. [33]

Анализ приведенных выше выражений для составляющих собственного поля дуги / / и / / показывает, что они ( ( должны [ играть принципиально различную роль в поведении катодного пятна. [34]

Первый сгусток не испытывает радиального воздействия собственного поля излучения, так как взаимодействует с продольной компонентой поля несимметричной волны. Расстояние между сгустками не равно целому числу длин волн излучаемого несимметричного поля, поэтому поперечная составляющая поля уже не равна нулю в месте расположения второго сгустка. Второй сгусток уже находится под воздействием радиальной составляющей поля несимметричной волны, излученного первым сгустком, и смещается в радиальном направлении. [35]

Силы от взаимодействия токов jMc индукцией собственного поля Вм ц0 М не учитываются. [36]

Катушка в замкнутом экране и эквивалентная ему сферическая оболочка.| Магнитный диполь. [37]

Поле во внешнем пространстве совпадает с собственным полем катушки, имеющим потенциал Х0, ослабленным экраном в S раз, где S - коэффициент экранирования. [38]

Обыграть брокерский дом на его же собственном поле - все равно, что сколотить деньги, бегая в поте лица между двумя пунктами обмена валюты с чуть разнящимися курсами. Работа внутридневного спекулянта на фондовом рынке представляет неимоверный труд, заключающийся в высочайшей степени концентрации внимания, титанических усилиях и сверхчеловеческом напряжении нервов. Только опытные и хорошо обученные трейдеры добиваются успеха, конкурируя на равных с крупнейшими брокерскими домами. Только полная самоотдача и упорный труд могут превратить любителя в профессионала внутридневной торговли. [39]

Покажите, что частица ускоряется в собственном поле, увеличивая кинетическую энергию, тогда как энергия поля постоянна и равна нулю. [40]

Смещение ядер атомов диэлектрика и их электронных оболочек в электрическом поле ( а и поляризация молекул диэлектрика ( б. [41]

При поляризации диэлектриков поляризованные молекулы создают свое собственное поле, направление которого противоположно направлению внешнего поля, поэтому напряженность результирующего поля уменьшается. Чем больше диэлектрическая проницаемость данного диэлектрика, тем сильнее уменьшается напряженность созданного в нем поля. [42]

Будем тогда говорить, что Кр есть собственное поле классов. [43]

Смещение энергетических уровней в диоде.| Изменение числа пар вырожденных свободных носителей зарядов в диоде в зависимости от напряжения внешней цепи при прямом включении. [44]

Оно определяется в этом случае как сумма собственного поля диода и поля, созданного приложенным напряжением цепи. [45]

Страницы: 1 2 3 4