Встроенное поле
Cтраница 1
Встроенное поле в базе способствует увеличению коэффициента собирания. Особенно сильно влияние поля проявляется при освещении сильно поглощаемыми квантами, когда генерация носителей может быть главным образом в высокоомной базе. [2]
Эта составляющая электрического поля направлена навстречу встроенному полю, а ее значение может значительно превышать значение встроенного поля. [3]
 |
Энергетическая диаграмма фотодиода с встроенным электрическим полем. [4] |
Улучшению частотных свойств фотодиодов со встроенным полем способствует и то обстоятельство, что при изготовлении прибора диффузионным методом толщина базы может быть уменьшена до 3 - 5 мкм. [5]
Частично спад коэффициента собирания все же компенсируется встроенным полем. При малом рекомбинационном параметре sw / Dn и при больших, тянущих полях ( Рш 10) для сильно поглощаемого света можно получить предельно возможные значения коэффициента собирания. [6]
В кремнии при х Ю1 см - с 1 встроенное поле, необходимое для хотя бы частичного подавления поверхностной рекомбинации, составляет величину порядка 103 В - см 1 и может быть создано в тонких слоях с градиентом N, получаемым методами диффузии или ионной имплантации. [7]
 |
Экспоненциальное распределение концентрации примеси в базе диода. [8] |
В тонкобазовом фотодиоде с градиентом примеси в базе влияние встроенного поля проявляется в том, что темновой ток дрейфового диода значительно меньше тока диода с однородной базой. Вольт-амперную характеристику дрейфового фотодиода можно представить в обычном виде с учетом того, что обратный ток / 0 и фототек / ф описываются выражениями, зависящими от тянущего поля. [9]
Для получения существенного ускорения процесса рассасывания неосновных носителей заряда необходима большая напряженность встроенного поля и в соответствии с (3.104) большой градиент концентрации примесей. [10]
 |
Диоды со встроенным полем.| Выпрямляющий контакт металла с полупроводником. [11] |
Аналогичный процесс протекает с дырками в р-области, что приводит к возникновению встроенного поля - BCT в этой области. [12]
После возникновения между разноименными зарядами электрического поля, которое в данном случае часто называют встроенным полем, устанавливается динамическое равновесие между диффузией и дрейфом носителей заряда. [14]
Эта составляющая электрического поля направлена навстречу встроенному полю, а ее значение может значительно превышать значение встроенного поля. [15]
Страницы: 1 2