Встроенное поле

Cтраница 2

В арсениде галлия ( si10) см - с 1) для подавления поверхностной рекомбинации необходима значительно большая напряженность встроенного поля, при которой дрейфовая скорость может выходить на насыщение. Необходимая величина встроенного поля реализуется в слоях с градиентом ширины запрещенной зоны, получаемым за счет плавного изменения химического состава материала фронтального слоя и его ширины запрещенной зоны. [16]

Зависимости коэффициентов передачи тока в латеральном р - л-р-транзнсторе от параметров структуры ( а и режима ( б. [17]

Из рис. 5.9 а видно, что с увеличением глубины залегания скрытого слоя коэффициент переноса неосновных носителей рр вначале возрастает, что объясняется уменьшением вклада процесса рекомбинации дырок, выталкиваемых на поверхность встроенным полем, а затем падает, так как при удалении скрытого слоя путь неосновных носителей в базе увеличивается. [18]

При создании встроенного поля за счет неоднородного легирования концентрация примеси вблизи р-л-перехода становится меньше, чем при его отсутствии в оптимизированном солнечном элементе. [20]

Структура продольного р-п-р-транзистора представлена на рис. 5.8. Базой служит эпитаксиальный слой п-типа, причем активной базой является узкий зазор между диффузионными областями р - типа, а активными участками эмиттерного и коллекторного р - - переходов - их боковые стенки, обращенные к базе. Изготовление скрытого л - слоя под эмиттерной и коллекторной областями обязательно, так как благодаря градиенту концентрации доноров на границе эпитаксиального и скрытого слоев для дырок, инжектированных эмиттером, создается встроенное поле, которое отражает поток дырок. Здесь отметим лишь его наиболее важные свойства, существенные для анализа совмещенных транзисторных и тиристорных структур. [21]

Несмотря на то что введение электрического поля в объем поглощающего слоя представляется эффективным способом увеличения Ln и, следовательно, JL, такое поле применяется редко. Это связано с трудностями получения необходимого градиента концентрации легирующей примеси, к тому же без снижения времени жизни носителей. Далее, наличие встроенного поля неизбежно приводит к уменьшению диффузионного потенциала Vj в области перехода, поскольку фактически часть Vj используется для создания градиента потенциала в поглощающем слое. [22]

Другим способом повышения быстродействия диодов является - создание в областях, прилегающих к объемному заряду перехода, встроенного электрического поля, поджимающего неосновные носители к р - n - переходу. В этом случае концентрация электронов в - области ( П0 Л7Д) вдали от перехода будет выше, чем у самого перехода. Перетекание электронов к переходу происходит до тех пор, пока возникающее встроенное поле е вст не уравняет их встречные потоки. [23]

К сожалению, даже в случае использования единого профиля одного формата, могут возникнуть объективные трудности при заимствовании записей на некоторые виды библиографических описаний. Как известно, эта техника предполагает возможность наличия в записях встроенных полей и ссылок на связанные записи по ключам. Ключи являются уникальным идентификатором записи в БД и должны генерироваться сервером системы в момент вставки новой записи. Таким образом, абсолютные значения ключей изменяются и имеющиеся в связанных записях соответствующие старые значения становятся неактуальными. Эта процедура реализована на сервере Руслан. Но данное решение не является исчерпывающим. На сервере мы ограничены тем, что операция связывания должна быть полностью проведена в автоматическом режиме без участия пользователя. Но гарантировать абсолютную точность автоматического определения записи источника для аналитической записи невозможно ввиду объективных причин - не всегда вся информация, необходимая для однозначной идентификации источника, может быть сохранена во встроенных полях аналитической записи. Извлечение же самой записи на источник и копирование каждый раз сразу двух записей представляется практически не реализуемым. [24]

Страницы: 1 2