Полное поле

Cтраница 4

Структурная схема полного поля рассеивания размеров углублений в изделиях, отсчитываемых в направлении его съема, дана на фиг. Разница между ними заключается в том, что при построении последней за исходную величину принят наибольший размер Нф формующего элемента. [46]

Определив структуру полного поля рассеивания размеров изделия, зависящих от колебания толщины облоя, переходим к определению абсолютных величин каждой из составляющих этого поля. [47]

К выводу выражений для поля излучения спиральной антенны. [48]

Возможность представления полного поля многозаходной спиральной линии в виде суммы М нормальных волн с известным распределением амплитуд и фаз токов в поперечной плоскости облегчает задачу определения поля излучения многозаходной опирали при произвольном возбуждении заходов. Применимость результатов, полученных для бесконечной регулярной линии, к анализу поля конечной спирали обусловлена сохранением в ней свойств симметрии вращения, из которых и вытекает указанное выше свойство полей. [49]

Структурная схема полного поля рассеивания размеров выступающего элемента изделия в направлении его съема, отформованного в гнезде, изображена на фиг. Нужно определить его глубину. [50]

Определим величину полного поля рассеивания размера среднего диаметра резьбы, формуемой из пластической массы. [51]

Структурные схемы полного поля рассеивания среднего диаметра резьбовых элементов изделия, изображенные на фиг. За исходную величину при построении этих схем принят номинальный размер среднего диаметра резьбы формующего элемента, представляющий искомую величину. Наибольшее и наименьшее значения размеров среднего диаметра формующих элементов получены путем отложения частных величин, составляющих величину допуска среднего диаметра резьбы изделия, от линии номинала. [52]

Поскольку В характеризует полное поле, созданное всеми токали. В не имеют источников и являются замкнутыми. [53]

Поскольку В характеризует полное поле, созданное всеми токами, как макроскопическими в проводниках, так и микроскопическими в магнетиках, то линии вектора магнитной индукции В не имеют источников и являются замкнутыми. [54]

Здесь Н - полное поле ( которое лучше обозначить В), возникающее как от токов в теле, так и от внешнего поля; параметр Л - постоянная, характерная для материала. [55]

Полученное выражение представляет собой полное поле рассеивания А4 размеров, определяющих положение оси элемента относительно базовой поверхности. [56]

Страницы: 1 2 3 4