Внутрикристаллическое поле

Cтраница 2

Схема энергетических уровней изолированного иона неодима. [16]

В кристалле каждый уровень да е расщепляется во внутрикристаллическом поле на штарковские подуровни. [17]

Зависимость намагниченности одноосного антнферро-ыадгнетика при Т ОК от магнитного поля, перпендикулярного оси антиферромагнетизма. М - намагниченность насыщения ткш-решйток, Hs я йя - критическое поле спин-флип перехода. [18]

Аналогичный эффект возникает и при понижении симметрии во внутрикристаллическом поле твердого тела. [19]

Структурная схема спинового квантового генератора. [20]

Разность уровней штарковского расщепления зависит от значения внутримолекулярного или внутрикристаллического поля, которое возникает за счет крутильных колебаний молекул рабочего вещества около их равновесного положения. Так как амплитуда этих колебаний определяется температурой и давлением, то и частота ЯКР является функцией температуры и давления. [21]

Механизм Кронинга-Ван - Флекса связывает тепловые колебания решетки с появляющимся электрическим внутрикристаллическим полем, которое посредством спин-орбитального взаимодействия вызывает переходы в спиновой системе. [22]

Эта сила определяется одновременно и внешними воздействиями и любыми нарушениями периодичности внутрикристаллического поля. [23]

Энергия бесфононного перехода А может у разных примесных молекул из-за различия значений внутрикристаллического поля, вообще говоря, отличаться. При этом появляется так называемое неоднородное уширение спектральных линий. При наличии неоднородного уширения экспериментально наблюдаемая форма бесфононной линии не является лоренцевой и зависит от случайного распределения уровней возбуждения в молекулах примеси. Если это распределение гауссово, то экспериментально наблюдаемая форма линии является сверткой гауссиана с лорен-цианом. [24]

Присутствие в объеме кристаллов металлических, изолированных от внешней по отношению к алмазу среды включений искажает внутрикристаллическое поле, возбуждаемое в алмазе внешним электромагнитным полем резонатора. Причем величина и степень искаженности поля в локальных участках алмазной матрицы, прилегающих к дефектам, обусловлены и эффектами поляризации, связанными со скоплением заряда на границах включений и других структурных неоднородностях. Поэтому в переменном электрическом поле во включениях происходят процессы перераспределения этих зарядов, вызывающие появление дипольных моментов у электропроводящих частиц и их осиляции, совпадающие с частотой приложенного к алмазу внешнего электрического поля. Величина дипольного момента частицы определяется не только размерами и формой, но и электрофизическими свойствами вещества частицы, в частности, электропроводностью. Поэтому такого типа включения на алмазах в первом приближении можно рассматривать как квазиупругие диполи, релаксационные процессы, в которых ( отражая степень совершенства структуры частиц) изменяют однородность внутрикристаллического поля в алмазах. [25]

С указанным частичным снятием вырождения состояния РЗМ ионов по направлениям Jj ( а следовательно и магнитного момента Д), обусловленным внутрикристаллическим полем, как раз и связан од-ноионный механизм магнитной анизотропии этих ионов. [26]

То, что основной уровень в металлах хорошо описывается приближением Jz J, возможно указывает на доминирующую роль обменного взаимодействия по отношению к внутрикристаллическим полям. Помимо этого, из-за преимущественно аксиального характера кристаллических полей ( главным членом кристаллического потенциала является VI, имеющий отрицательный знак) примеси состояний с различными Jz в основное состояние иона оказываются незначительными. [27]

Распределение прочностей связи при удалении дырок ( Ni3 от иона лития под действием электрического поля. [28]

Роль же литийподобного иона заключается в первоначальном образовании дырочного комплекса, в уменьшении энергии активации дырочного перехода вблизи его ( вследствие создания некоторой асимметрии внутрикристаллического поля) и изменении энергии активации поглощения и десорбции кислорода, что опять связано с процессом образования и исчезновения дырок. [29]

Другим фактором, определяющим уменьшение энергии кристаллической решетки, является реализация определенной симметрии химических связей, приводящая к энергетически выгодному распределению заряда ионов во внутрикристаллическом поле. [30]

Страницы: 1 2 3 4