Внутрикристаллическое поле

Cтраница 3

Важным фактором, определяющим уменьшение энергии кристаллической решетки, является реализация определенной симметрии химических связей, приводящая к энергетически выгодному распределению заряда ионов во внутрикристаллическом поле. [31]

В § 17.5 уже упоминалось, что внутрикристаллическое поле приводит к закреплению орбитального момента и возможному появлению анизотропии § - фактора; рассмотрим подробнее влияние внутрикристаллического поля. [32]

В теории магнетизма рассматриваются различные микроскопические механизмы магнитострикции за счет изменения магнитного ди-поль-дипольного взаимодействия; спин-орбитального взаимодействия; взаимодействия анизотропного электронного облака атома переходного элемента с внутрикристаллическим полем; изменения обменных сил между атомами и между электронами. [33]

Термическое высвечивание в видимой области фосфора NaCl 0 003 мол. % РЬС12. [34]

Уменьшение интенсивности свечения в пике при - 130 С при увеличении концентрации активатора может быть обусловлено снятием запрета с перехода 4cf9 5р3Р2 - 4d10 1S0 вследствие возникающих искажений внутрикристаллического поля. [35]

Некоторые вещества ( например, парамагнитные соли) при очень низких температурах обнаруживают теплоемкость С, во много раз превосходящую решеточную теплоемкость Среш - Установлено, что теплоемкость С, обусловлена внутренними степенями свободы, в частности взаимодействием спинов с внутрикристаллическими полями. [36]

Для веществ, в которых носители магнитного момента взаимодействуют между собой и с внутрикристал-лическим полем, температурная зависимость магнитной восприимчивости парамагнетиков следует закону Кюри - Вейсса: % v C i ( T - 6), где постоянная С во многих случаях практически совпадает с постоянной С в законе Кюри для свободных магнитных ионов данного вида; постоянная Э характеризует взаимодействие магнитных ионов между собой и с внутрикристаллическим полем. Закон Кюри - Вейсса выполняется обычно в определенной области температур. При низких температурах ( ниже Т - 70 К) наблюдаются отклонения от него, вызванные влиянием неоднородных электрических полей соседних ионов или ориентированных диполей молекул растворителя на орбитальный момент электронов. Закон Кюри - Вейсса выполняется также для ферро - и антиферромагнетиков в некотором интервале температур выше температуры магнитного упорядочения. [37]

Спектр парамагнитного резонанса фторсиликата никеля. [38]

Под действием этого поля энергетические уровни атомов претерпевают штарковское расщепление. Так, обычно под влиянием внутрикристаллического поля энергетические уровни атомов и ионов с нечетным числом электронов и в особенности низший нормальный уровень расщепляются на два подуровня. [39]

Положение пиков в инфракрасных спектрах УзАЬОц, еж 1.| Положение пиков в спектре комбинационного рассеяния YaAbOis, см 1. [40]

Вообще говоря, зависимость тлюм ( Т) мультиплета F, при малой концентрации неодима может изменяться и под влиянием другого фактора. Метастабильное состояние Р3, попа Nd3 в пизкосимметричных внутрикристаллических полях представляет собой дублет, над которым на расстоянии - 900 см 1 лежат уровни мультиплетов 4 / Y, н 2 / / я, а выше и других ( см. гл. [41]

Наблюдаемые для нечс-рых ионов расхождения относятся к более сложному случаю, когда осн. Еще сильнее влияние поля лиган - дов ( см. Внутрикристаллическое поле) в веществах, 532 содержащих ионы: групп Pd и Pt, а также в парамагн. [42]

Оптические свойства активированных кристаллов определяются совокупностью свойств иона активатора и ближайших к нему ионов кристаллической решетки. При внедрении иона редкоземельного элемента в решетку ортованадата щелочноземельного металла величина и симметрия внутрикристаллического поля, действующего на ион активатора, может изменяться: трехзарядный ион активатора изоморфно замещает в решетке двухзарядный ион. Соотношение между числом центров с различной химической структурой и симметрией обусловлено относительными размерами катионов и замещающих их активирующих и соактивирующих ионов. [43]

В квантовомеханических усилителях можно применять [31 ] полупроводники; имеются 11631 предложения по применению уровней Ландау в субмиллиметровой области. Весьма интересна мысль [274] об использовании парамагнитных пьезоэлектрических кристаллов, у которых расположение энергетических уровней зависит не только от внутрикристаллического поля, но и от приложенного извне электрического noVm; в этом случае становится возможным создание мазера, перестраиваемого напряжением. [44]

Диаграмма Фортра для полосы 020 - 010 электронного перехода S - П молекулы HCN. точка схождения кривых на оси v называется кантом полосы. [45]

Страницы: 1 2 3 4